該實用新型屬于半導材料。

目前半導體器件廠所用的半導體材料是材料廠生產的硅拋光片與外延片。而硅拋光片與外延片的存放和運輸大多是用盒裝或袋裝，這樣硅拋光片與外延片表面容易劃傷，又因長期在空氣中暴露而容易使鏡面污染。這就影響了硅材料的質量，從而影響半導體器件的質量。雖然象美國Mon?Sante公司等采用外金屬殼、內硬塑盒、間隙立插式、高純密封包裝，可使硅拋光片與外延片少沾污、少劃傷，但是工藝復雜、占空間大、成本高。

該實用新型的目的是使硅拋光片與外延片在使用之前便于保存和運輸，并且不劃傷、不沾污，以保持硅拋光片與外延片鏡面的高完美度和高潔凈度，從而提高半導體器件的性能。

該實用新型是在原來合格的硅拋光片或外延片上用熱氧化方法或氣相淀積法等器件制備中的鈍化方法生長一層保護膜。此膜的厚度為500以上。此保護膜可是有機物，也可是無機物，如SiO₂、Al₂O₃、Si₃N₄、和光刻膠、硅油等。帶有保護膜的硅拋光片和外延片可根據保護膜的不同及不同的厚度而呈現不同的顏色。其結構示意圖如附圖所示。

圖1??為帶保護膜的硅拋光片(外延片)的俯視圖，內部為硅拋光片或外延片，陰影部分為保護膜，厚度500以上。

圖2??為全保護硅拋光片(外延片)的側視圖，內部為硅拋光片或外延片，陰影部分為保護膜，厚度500以上。

圖3??為鏡面保護硅拋光片(外延片)的側視圖，內部為硅拋光片(外延片)，陰影部分為保護膜，其厚度為500以上。

硅拋光片與外延片因外加一層致密而堅硬的保護膜，所以用袋裝或盒接觸存放及運輸方便，而且不沾污、不劃傷。使用之前用漂洗液進行漂洗即可去除保護膜。這樣就有效地保持了硅拋光片與外延片的高完美度和高潔凈度，從而提高了硅材料的質量，相應也可以提高半導體器件的質量。同時此保護膜生長工藝簡單、成本低。