[其他]帶有保護膜的硅拋光片與外延片無效
| 申請號： | 85203385 | 申請日： | 1985-08-16 |
| 公開（公告）號： | CN85203385U | 公開（公告）日： | 1986-07-23 |
| 發明（設計）人： | 劉玉嶺 | 申請（專利權）人： | 河北工學院 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 天津市專利事務所 | 代理人： | 李國茹 |
| 地址： | 天津市紅橋區*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 帶有 保護膜 拋光 外延 | ||
【權利要求書】：
1、一種用于制造半導體器件的硅拋光片與外延片，其長期保存和運輸是用軟塑或紙袋分片包裝，或外部用硬塑盒、內底聚丙烯刻槽、間隙立插式，高純密封包裝；本實用新型的特征是：在合格的硅拋光片與外延片的表面有一層用熱氧化方法或氣相淀積法等器件制備中的鈍化方法生長的保護膜，目的是取代硅拋光片與外延片長期保存和運輸用袋裝或盒裝的方法。
2、一種按照權利要求1所說的硅拋光片或外延片，其特征在于：保護膜的厚度為500以上。
3、一種按照權利要求1和2所說的硅拋光片與外延片，其特征在于：保護膜可以是有機物，也可以是無機物，如SiO2、Al2O3、Si3N4和光刻膠、硅油等等。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
