本發明實施例提供了一種具有中介層的封裝結構，涉及集成電路芯片技術領域。該封裝結構包括：有源中介層；M個小芯片，位于所述有源中介層的上方，并與所述有源中介層固定連接，且所述M個小芯片之間電連接；無源中介層，位于所述無源中介層的下方，并與所述有源中介層固定連接；封裝襯底，位于所述無源中介層的下方，并與所述無源中介層固定連接；其中，M為大于1的正整數。本發明上述方案，將無源中介層和有源中介層的優勢進行結合，不僅可以節省芯片的面積，還可以減少生產成本，提高生產良率。

技術領域

本發明涉及集成電路芯片技術領域，尤其涉及一種具有中介層的封裝結構。

背景技術

隨著摩爾定律的放慢和半導體面積成本的增加，出現了新的體系結構和封裝技術，通過晶體管工藝縮放實現系統改進。近年來，多裸芯集成技術受到關注。芯片級集成技術不同于現代的片上系統(System-on-a-chip，SOC)整體式地制造在單個大芯片上，而是將多個半導體芯片(每個芯片單獨制造)集成到一個封裝結構中。

從歷史上看，多芯片模塊(Multichip Module，MCM)封裝已用于將多個小芯片集成到單個基板上，為小芯片集成提供平臺。但與片上互連相比，粗間距基板互連只能提供有限的帶寬，從而降低了效率并增加了延遲。但是，這些限制可以通過使用細間距的硅中介層來解決，該中介層已在商業產品中用于集成3D高帶寬存儲器。如今，中介層技術主要分為無源中介層和有源中介層。

傳統上，片上網絡(Network on Chip，NOC)部署在片內的裸芯上，這樣產生兩個問題：一方面，網絡帶寬與小芯片上金屬層的數量和密度相關，增加金屬層會增加芯片成本和良率；另一方面，片上網絡會消耗大量小芯片chiplet間的互連資源。

如果采用無源中介層passive interposer部署NOC，路由器件必須放置在小芯片chiplet中，降低了良率、提升了芯片面積的成本；如果采用有源中介層activeinterposer，即將有源器件(如：路由器或中繼器repeater)部署在中介層，制造成本是無源中介層的數倍；另外，隨著有源中介層硅片尺寸的增加，生產良率降低，進一步增加成本。

發明內容

本發明提供一種具有中介層的封裝結構，以便在一定程度上解決現有中介層技術部署NOC會降低良率且制造成本較高的問題。

本發明實施例提供了一種具有中介層的封裝結構，該封裝結構包括：

有源中介層；

M個小芯片，位于所述有源中介層的上方，并與所述有源中介層固定連接，且所述M個小芯片之間電連接；

無源中介層，位于所述有源中介層的下方，并與所述有源中介層固定連接；

封裝襯底，位于所述無源中介層的下方，并與所述無源中介層固定連接；

其中，M為大于1的正整數。

可選的，所述M個小芯片中每一小芯片均包含有第一路由器件，所述M個小芯片通過所述第一路由器件互連。

可選的，所述M個小芯片的每一小芯片外側均包裹有封裝材料；

不同小芯片中的第一路由器件通過第一導電線穿過所述封裝材料互連。

可選的，在所述M個小芯片中的目標小芯片包含的第一路由器件的數量為N個的情況下，N個第一路由器件之間電連接；

其中，N為大于1的正整數。

可選的，所述有源中介層包括：第二路由器件；

所述第二路由器件與所述第一路由器件電連接。

可選的，所述有源中介層中設置有硅通孔；

所述第二路由器件通過所述硅通孔與所述第一路由器件電連接。