本公開實施例提供一種顯示基板的制備方法，包括：在薄膜晶體管結構背離襯底基板的一側形成第二絕緣層；在第二絕緣層背離襯底基板的一側依次形成色阻層和第三絕緣層，第三絕緣層開設有第一過孔和第二過孔，第一過孔在襯底基板上的正投影與源漏金屬層在襯底基板上的正投影至少部分相交，第一過孔與第二絕緣層之間保留有色阻層和/或第三絕緣層，第二過孔暴露出第二絕緣層；采用刻蝕工藝對第一過孔位置和第二過孔位置進行刻蝕，在第一過孔位置暴露出至少部分源漏金屬層，在第二過孔位置暴露出至少部分柵金屬層。本公開的技術方案，可以避免第一過孔位置的金屬過早暴露，防止第一過孔位置的金屬氧化嚴重，避免產品出現顯示不良。

技術領域

本公開涉及顯示技術領域，尤其涉及一種顯示基板的制備方法、顯示基板和顯示裝置。

背景技術

在陣列基板上制備色阻層的工藝中，像素過孔底部的金屬存在氧化嚴重的問題，導致像素電極與漏電極之間接觸電阻增大，引起顯示不良。

發明內容

本公開實施例提供一種顯示基板的制備方法、顯示基板和顯示裝置，以解決或緩解現有技術中的一項或更多項技術問題。

作為本公開實施例的第一個方面，本公開實施例提供一種顯示基板，包括：

襯底基板；

薄膜晶體管結構，位于所述襯底基板的一側，包括依次疊設的柵金屬層、第一絕緣層和源漏金屬層；

第二絕緣層，位于所述薄膜晶體管結構背離所述襯底基板的一側；

色阻層，位于所述第二絕緣層背離所述襯底基板的一側；

第三絕緣層，位于所述色阻層背離所述襯底基板的一側；

其中，所述第三絕緣層開設有第一過孔，所述第一過孔延伸至所述源漏金屬層，以暴露出至少部分所述源漏金屬層，所述第三絕緣層在所述襯底基板上的正投影位于所述色阻層在所述襯底基板上的正投影范圍內。

在一些可能的實施方式中，所述第三絕緣層還開設有第二過孔，所述第二過孔依次貫穿所述第三絕緣層、所述色阻層和所述第二絕緣層而延伸至所述柵金屬層，以暴露至少部分所述柵金屬層。

在一些可能的實施方式中，

所述色阻層的厚度范圍為1.0μm至2.0μm；和/或，

所述第一絕緣層的厚度范圍為3500埃至4500埃；和/或，

所述第二絕緣層的厚度范圍為800埃至1200埃。

作為本公開實施例的第二個方面，本公開實施例提供一種顯示基板的制備方法，包括：

在襯底基板的一側形成薄膜晶體管結構，薄膜晶體管結構包括依次疊設的柵金屬層、第一絕緣層和源漏金屬層；

在薄膜晶體管結構背離襯底基板的一側形成第二絕緣層；

在第二絕緣層背離襯底基板的一側依次形成色阻層和第三絕緣層，第三絕緣層開設有第一過孔和第二過孔，第一過孔在襯底基板上的正投影與源漏金屬層在襯底基板上的正投影至少部分相交，第一過孔與第二絕緣層之間保留有色阻層和/或第三絕緣層，第二過孔貫穿第三絕緣層和色阻層而暴露出第二絕緣層，第二過孔在襯底基板上的正投影與柵金屬層在襯底基板上的正投影至少部分相交；

采用刻蝕工藝對第一過孔位置和第二過孔位置進行刻蝕，在第一過孔位置形成第五過孔而暴露出至少部分源漏金屬層，在第二過孔位置形成第六過孔而暴露出至少部分柵金屬層。

在一些可能的實現方式中，在第二絕緣層背離襯底基板的一側依次形成色阻層和第三絕緣層，包括：

在第二絕緣層背離襯底基板的一側形成色阻層，色阻層開設有與第二過孔相對應的第三過孔，第三過孔暴露出第二絕緣層；