[發明專利]一種顯示基板的制備方法、顯示基板和顯示裝置有效
| 申請號: | 202110298554.4 | 申請日: | 2021-03-19 |
| 公開(公告)號: | CN113066802B | 公開(公告)日: | 2023-04-18 |
| 發明(設計)人: | 陳亮;高錦成;錢海蛟;姜濤;劉澤旭;汪濤;趙立星;張冠永;柳泉洲;劉建濤 | 申請(專利權)人: | 合肥京東方顯示技術有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/84;G09F9/30 |
| 代理公司: | 北京市鑄成律師事務所 11313 | 代理人: | 王云紅;包莉莉 |
| 地址: | 230012 安徽省合肥市新*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板的制備方法,其特征在于,包括:
在襯底基板的一側形成薄膜晶體管結構,所述薄膜晶體管結構包括依次疊設的柵金屬層、第一絕緣層和源漏金屬層;
在所述薄膜晶體管結構背離所述襯底基板的一側形成第二絕緣層;
在所述第二絕緣層背離所述襯底基板的一側依次形成色阻層和第三絕緣層,所述第三絕緣層開設有第一過孔和第二過孔,所述第一過孔在所述襯底基板上的正投影與所述源漏金屬層在所述襯底基板上的正投影至少部分相交,所述第一過孔與所述第二絕緣層之間保留有色阻層和/或第三絕緣層,所述第二過孔貫穿所述第三絕緣層和所述色阻層而暴露出所述第二絕緣層,所述第二過孔在所述襯底基板上的正投影與所述柵金屬層在所述襯底基板上的正投影至少部分相交,其中,所述色阻層的厚度范圍為1.0μm至2.0μm或第三絕緣層在第一過孔位置的厚度范圍為1.0μm至2.0μm;
采用刻蝕工藝對所述第一過孔位置和所述第二過孔位置進行刻蝕,在所述第一過孔位置形成第五過孔而暴露出至少部分所述源漏金屬層,在所述第二過孔位置形成第六過孔而暴露出至少部分所述柵金屬層。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述第二絕緣層背離所述襯底基板的一側依次形成色阻層和第三絕緣層,包括:
在所述第二絕緣層背離所述襯底基板的一側形成所述色阻層,所述色阻層開設有與所述第二過孔相對應的第三過孔,所述第三過孔暴露出所述第二絕緣層;
在所述色阻層背離所述襯底基板的一側形成所述第三絕緣層,所述第三絕緣層開設有所述第一過孔和所述第二過孔,所述第一過孔暴露出所述色阻層,所述第二過孔貫穿所述第三過孔而暴露出所述第二絕緣層。
3.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述第二絕緣層背離所述襯底基板的一側依次形成色阻層和第三絕緣層,包括:
在所述第二絕緣層背離所述襯底基板的一側形成所述色阻層,所述色阻層開設有第三過孔和第四過孔,所述第三過孔與所述第二過孔相對應,所述第四過孔與所述第一過孔相對應,所述第三過孔和所述第四過孔均暴露出所述第二絕緣層;
在所述色阻層背離所述襯底基板的一側形成第三絕緣層,所述第三絕緣層開設有所述第一過孔和所述第二過孔,所述第一過孔與所述第二絕緣層之間保留有第三絕緣層,所述第二過孔貫穿所述第三過孔而暴露出所述第二絕緣層。
4.根據權利要求3所述的方法,其特征在于,所述第三絕緣層在所述第一過孔位置的厚度范圍為1.0μm至2.0μm。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的方法,其特征在于,所述刻蝕工藝包括干法刻蝕工藝,所述干法刻蝕工藝采用的刻蝕氣體包括三氟化氮和氧氣,三氟化氮和氧氣的體積比為1:1至1:3。
6.根據權利要求1至4中任一項所述的方法,其特征在于,所述源漏金屬層包括源電極或漏電極,所述第一過孔在所述襯底基板上的正投影與所述源電極或所述漏電極在所述襯底基板上的正投影至少部分相交,以使得所述第五過孔暴露出至少部分所述源電極或漏電極。
7.根據權利要求1至4中任一項所述的方法,其特征在于,所述柵金屬層包括公共電極線,所述第二過孔在所述襯底基板上的正投影與所述公共電極線在所述襯底基板上的正投影至少部分相交,以使得所述第六過孔暴露出至少部分所述公共電極線。
8.一種顯示裝置,其特征在于,包括權利要求1至7中任一項所述的方法制備的顯示基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





