本申請提供了一種封裝膜，包括封裝結構，所述封裝結構包括：一次沖坑形成的第一凹槽和二次沖坑形成的第二凹槽；所述第一凹槽的長度大于所述第二凹槽的長度，所述第一凹槽的大于所述第二凹槽的寬度；所述第二凹槽位于所述第一凹槽內，并與所述第一凹槽形成梯度結構。上述的封裝膜及電池通過二次沖坑形成梯度結構的第一凹槽和第二凹槽，相較于一次沖坑，突破沖坑深度的限制，而且避免沖坑深度的增加導致的粘結層破損腐蝕或者金屬層破損，采用該封裝膜結構實現軟包電芯在厚度方向大幅提容。

技術領域

本申請涉及儲能技術領域，尤其涉及一種封裝膜及電池。

背景技術

軟包電芯是通過對包裝材料(如鋁塑膜或鋼塑膜)沖坑成型后再進行高溫封裝而成，沖坑深度需要與電芯厚度匹配，越厚的電芯要求沖坑深度越深，但沖坑深度增加可能導致角位PP破損腐蝕或者金屬層破損漏液。目前常規采用的方案是通過加厚包裝材料的金屬層厚度來達到沖深坑的目的，但金屬層的加厚會導致包裝材料的抗彎折性能惡化，在電芯制造和后期運輸過程中，對于某些應力集中區域容易出現金屬層破裂影響長期的封裝可靠性，嚴重時甚至直接導致電芯漏液。另外，還有沖坑時先對包裝材料進行加熱，提高金屬層的延展能力，但是這種方式不僅會減少單位時間內的設備產能和增加設備投資成本，而且沖坑能力并無顯著提高。

發明內容

有鑒于此，有必要提供一種封裝膜及電池，其能夠突破沖坑深度的限制并且提升電池的容量。

本申請的實施例提供了一種封裝膜，包括封裝結構，所述封裝結構包括：一次沖坑形成的第一凹槽和二次沖坑形成的第二凹槽；所述第一凹槽的長度大于所述第二凹槽的長度，所述第一凹槽的寬度大于所述第二凹槽的寬度；所述第二凹槽位于所述第一凹槽內，并與所述第一凹槽形成梯度結構。

進一步地，在本申請的一些實施例中，所述封裝膜包括粘結層、金屬層和保護層，所述金屬層位于所述粘結層和保護層之間。

進一步地，在本申請的一些實施例中，以所述第一凹槽的邊角為第一角位，以所述第二凹槽的邊角為第二角位，所述第一角位和第二角位所在位置的所述封裝膜的厚度至少為沖坑前所述封裝膜厚度的40％。

進一步地，在本申請的一些實施例中，所述第一凹槽的深度為H1，0＜H₁≤15mm，所述第二凹槽的深度為H₂，0＜H₂≤15mm。

進一步地，在本申請的一些實施例中，所述封裝膜包括兩個所述封裝結構，兩個所述封裝結構之間設有對折區，所述對折區沿所述第一凹槽的長度方向或寬度方向設置，所述對折區的寬度為0.5～40mm。

本申請的實施例還提供了一種電池，包括電極組件和極耳，還包括上述的封裝膜，所述電極組件設于所述封裝結構內，所述極耳連接所述電極組件并伸出所述封裝結構。

進一步地，在本申請的一些實施例中，沿所述封裝結構的厚度方向，所述電極組件的厚度為T，所述封裝膜的第一凹槽的深度為H₁，所述封裝膜的第二凹槽的深度為H₂，其中T-8mm≤(H₁+H₂)*2≤T+8mm，且0＜H₁≤15mm，0＜H₂≤15mm。

進一步地，在本申請的一些實施例中，所述電池還包括彈性體，所述彈性體設于所述電極組件的外側并位于所述第一凹槽內。

進一步地，在本申請的一些實施例中，所述電極組件呈梯度結構設置，所述電池整體設置為梯度結構或堆疊成梯度結構。

進一步地，在本申請的一些實施例中，所述第一凹槽與第二凹槽沿所述封裝結構的寬度方向設有第一階梯部和第二階梯部，所述第一階梯部的寬度為W₁，所述第二階梯部的寬度為W₂，所述電池的最大寬度為W，10mm≤W₁+W₂≤W。