[發明專利]封裝膜及電池在審
| 申請號： | 202110282452.3 | 申請日： | 2021-03-16 |
| 公開（公告）號： | CN113054293A | 公開（公告）日： | 2021-06-29 |
| 發明（設計）人： | 王吉飛 | 申請（專利權）人： | 東莞新能安科技有限公司 |
| 主分類號： | H01M50/105 | 分類號： | H01M50/105;H01M50/124;H01M50/131;H01M50/136 |
| 代理公司： | 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334 | 代理人： | 薛曉偉 |
| 地址： | 523000 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 封裝 電池 | ||
1.一種封裝膜，包括封裝結構，其特征在于，所述封裝結構包括：一次沖坑形成的第一凹槽和二次沖坑形成的第二凹槽；
所述第一凹槽的長度大于所述第二凹槽的長度，所述第一凹槽的寬度大于所述第二凹槽的寬度；
所述第二凹槽位于所述第一凹槽內，并與所述第一凹槽形成梯度結構。
2.如權利要求1所述的封裝膜，其特征在于，所述封裝膜包括粘結層、金屬層和保護層，所述金屬層位于所述粘結層和保護層之間。
3.如權利要求2所述的封裝膜，其特征在于，以所述第一凹槽的邊角為第一角位，以所述第二凹槽的邊角為第二角位，所述第一角位和第二角位所在位置的所述封裝膜厚度至少為沖坑前所述封裝膜厚度的40％。
4.如權利要求1所述的封裝膜，其特征在于，所述第一凹槽的深度為H1，0＜H1≤15mm，所述第二凹槽的深度為H2，0＜H2≤15mm。
5.如權利要求1所述的封裝膜，其特征在于，所述封裝膜包括兩個所述封裝結構，兩個所述封裝結構之間設有對折區，所述對折區沿所述第一凹槽的長度方向或寬度方向設置，所述對折區的寬度為0.5～40mm。
6.一種電池，包括電極組件和極耳，其特征在于，還包括如權利要求1至5任意一項所述的封裝膜，所述電極組件設于所述封裝結構內，所述極耳連接所述電極組件并伸出所述封裝結構。
7.如權利要求6所述的電池，其特征在于，沿所述封裝結構的厚度方向，所述電極組件的厚度為T，所述封裝膜的第一凹槽的深度為H1，所述封裝膜的第二凹槽的深度為H2，其中T-8mm≤(H1+H2)*2≤T+8mm，且0＜H1≤15mm，0＜H2≤15mm。
8.如權利要求7所述的電池，其特征在于，所述電池還包括彈性體，所述彈性體設于所述電極組件的外側并位于所述第一凹槽內。
9.如權利要求6所述的電池，其特征在于，所述電極組件呈梯度結構設置，所述電池整體設置為梯度結構或堆疊成梯度結構。
10.如權利要求6所述的電池，其特征在于，所述第一凹槽與第二凹槽沿所述封裝結構的寬度方向設有第一階梯部和第二階梯部，所述第一階梯部的寬度為W1，所述第二階梯部的寬度為W2，所述電池的最大寬度為W，10mm≤W1+W2≤W。
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