[發明專利]用于以聚合物涂覆基底的等離子體聚合方法有效
| 申請號： | 202080008122.9 | 申請日： | 2020-01-08 |
| 公開（公告）號： | CN113286667B | 公開（公告）日： | 2023-10-24 |
| 發明（設計）人： | M·塞爾庫;S·盧利迪 | 申請（專利權）人： | 歐洲等離子公司 |
| 主分類號： | B05D3/14 | 分類號： | B05D3/14;B05D5/08;B05D7/00;B05D1/00 |
| 代理公司： | 北京市立方律師事務所 11330 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 比利時奧*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 聚合物 基底 等離子體 聚合 方法 | ||
1.一種用于以聚合物層涂覆基底的等離子體聚合方法，所述方法包括：
在等離子體室內提供待涂覆的基底；
向所述等離子體室引入預處理前體流；
施加大于零瓦特(W)的水平的功率并將所述預處理前體轉化為預處理前體等離子體；和
將所述基底暴露于所述預處理前體等離子體；
向所述等離子體室引入第一聚合物前體流；
施加大于零瓦特(W)的水平的功率并將所述第一聚合物前體轉化為第一聚合物前體等離子體；
將所述基底暴露于所述第一聚合物前體等離子體；
向所述等離子體室引入第二聚合物前體流；
施加大于零瓦特(W)的水平的功率并將所述第二聚合物前體轉化為第二聚合物前體等離子體；和
將所述基底暴露于所述第二聚合物前體等離子體，
其中將所述基底暴露于所述第一聚合物前體等離子體在其上形成了第一聚合物層，并且將所述基底暴露于所述第二聚合物前體等離子體在其上形成了第二聚合物層，其特征在于，在將所述基底暴露于所述預處理前體等離子體與將所述基底暴露于所述第一聚合物前體等離子體之間，以及在將所述基底暴露于所述第一聚合物前體等離子體與將所述基底暴露于所述第二聚合物前體等離子體之間，維持大于零瓦特(W)的水平的功率。
2.根據權利要求1所述的等離子體聚合方法，其中，將所述第二聚合物前體轉化為所述第二聚合物前體等離子體的功率不同于將所述第一聚合物前體轉化為所述第一聚合物前體等離子體的功率。
3.一種用于以聚合物層涂覆基底的等離子體聚合方法，所述方法包括：
在等離子體室內提供待涂覆的基底；
向所述等離子體室引入第一聚合物前體流；
施加大于零瓦特(W)的水平的第一功率并將所述第一聚合物前體轉化為第一聚合物前體等離子體；
將所述基底暴露于所述第一聚合物前體等離子體；
向所述等離子體室引入第二聚合物前體流；
施加大于零瓦特(W)的水平的第二功率并將所述第二聚合物前體轉化為第二聚合物前體等離子體；和
將所述基底暴露于所述第二聚合物前體等離子體，
其中所述第二功率水平不同于所述第一功率水平，并且其中將所述基底暴露于所述第一聚合物前體等離子體在其上形成了第一聚合物層并且將所述基底暴露于所述第二聚合物前體等離子體在其上形成了第二聚合物層，其特征在于，從所述第一功率水平直接切換到所述第二功率水平并將功率維持在所述第二功率水平。
4.根據權利要求3所述的等離子體聚合方法，其中，所述第二功率水平低于所述第一功率水平，從而將功率從所述第一功率水平直接降低至所述第二功率水平。
5.根據前述權利要求中任一項所述的等離子體聚合方法，包括將所述等離子體室內的壓力設置為用于將所述第一聚合物前體轉化為所述第一聚合物前體等離子體的第一聚合物前體操作壓力，以及將所述等離子體室內的壓力設置為用于將所述第二聚合物前體轉化為所述第二聚合物前體等離子體的第二聚合物前體操作壓力。
6.根據權利要求5所述的等離子體聚合方法，包括將壓力從所述第一聚合物前體操作壓力改變為所述第二聚合物前體操作壓力而不將所述壓力降低至基礎壓力。
7.根據權利要求5或權利要求6所述的等離子體聚合方法，包括將壓力從所述第一聚合物前體操作壓力改變為所述第二聚合物前體操作壓力，同時將所述第二前體引入所述等離子體室。
8.根據前述權利要求中任一項所述的等離子體聚合方法，包括減小進入所述等離子體室的所述第一聚合物前體流，同時增大進入所述等離子體室的所述第二聚合物前體流。
9.根據前述權利要求中任一項所述的等離子體聚合方法，其中，所述第二聚合物前體不同于所述第一聚合物前體。
10.根據前述權利要求中任一項所述的等離子體聚合方法，其中，所述第一聚合物前體是包含金屬元素、類金屬元素或其組合的聚合物前體單體。
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