提供一種能夠迅速且高精度地檢測由基板從靜電吸盤脫離時的脫離故障等引起的基板的升降異常的基板升降異常檢測裝置等。基板升降異常檢測裝置(100)具備：測定部(2)，其測定與施加于升降機構(4)的載荷具有相關性的參數；以及檢測部(3)，其檢測基板(S)的升降異常。檢測部(3)具備使用機器學習而生成的學習模型(31)，該學習模型(31)被輸入在通過升降機構(4)使基板(S)上升的過程中由測定部(2)連續地測定出的所述參數的多個測定值，并輸出基板(S)的升降異常的程度。

技術領域

本發明涉及在具備使基板升降的升降機構的基板處理裝置中檢測基板的升降異常的基板升降異常檢測裝置、具備該基板升降異常檢測裝置的基板處理系統、基板升降異常檢測方法、程序、學習模型以及學習模型的生成方法。特別是，本發明涉及能夠迅速且高精度地檢測由基板從靜電吸盤脫離時的脫離故障等引起的基板的升降異常的基板升降異常檢測裝置、基板處理系統、基板升降異常檢測方法、程序、學習模型以及學習模型的生成方法。

背景技術

以往，作為對基板實施處理的基板處理裝置，已知一種使用等離子體對基板實施蝕刻處理、成膜處理等等離子體處理的等離子體處理裝置。

等離子體處理裝置一般具備：腔室，在該腔室內部生成等離子體；載置臺，其配置在腔室內，用于載置基板；以及升降銷等升降機構，其使基板升降。一般來說，在載置臺上設置靜電吸盤。

靜電吸盤設置在載置臺的上部，由埋設有電極的電介質形成。基板通過電極與基板之間的靜電力而被靜電吸附于靜電吸盤，電極與基板之間的靜電力是通過對靜電吸盤的電極施加直流電壓而產生的。

在通過等離子體處理裝置對基板實施等離子體處理時，對靜電吸盤的電極施加直流電壓，以使基板靜電吸附于靜電吸盤。然后，對被靜電吸附的基板實施等離子體處理。

如果等離子體處理結束，則使基板從靜電吸盤脫離。具體地說，通過停止向靜電吸盤的電極施加直流電壓，來停止靜電吸盤對基板的靜電吸附。然后，通過升降機構使基板上升，之后通過輸送機構將基板輸送到腔室的外部。

在此，存在以下情況：在要使基板從靜電吸盤脫離時，在停止施加直流電壓之后，基板也由于殘留在靜電吸盤上的靜電力而被吸附于靜電吸盤，發生基板脫離故障。具體地說，有時通過升降機構將所吸附的基板推起而發生基板的位置偏移等，會阻礙之后的基板的輸送。另外，在殘留的靜電力大的情況下，也有可能由于強行地將所吸附的基板推起而導致基板破損。

因而，為了避免基板的輸送故障或破損，期望迅速且高精度地檢測如上所述的基板的升降異常(特別是基板的上升時的異常)。

以往，作為檢測升降銷的動作狀況的異常的裝置，提出了專利文獻1所記載的裝置。

然而，專利文獻1所記載的裝置是用于檢測升降銷的破損等過度的異常的裝置，無法迅速且高精度地檢測由基板從靜電吸盤脫離時的脫離故障等引起的基板的升降異常。

另外，在專利文獻2中，提出了一種用于檢測靜電吸盤對基板的吸附狀態的裝置。

然而，專利文獻2所記載的裝置是用于評價在對基板實施處理時靜電吸盤是否以適當的靜電力吸附著基板的裝置，無法迅速且高精度地檢測由基板從靜電吸盤脫離時的脫離故障等引起的基板的升降異常。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2010-278271號公報

專利文獻2：日本特開2008-277706號公報

發明內容

發明要解決的問題