本申請實施例提供了一種二極管，包括：第一導電類型的襯底，所述襯底包括塊晶圓或由以下任意一種方法制成的晶圓：中子嬗變摻雜法、直拉法、區(qū)熔法、直拉區(qū)熔法和磁控拉晶法，所述襯底包括相對的第一表面和第二表面；位于所述襯底的第一表面上的第一導電類型阱區(qū)；位于所述襯底的第二表面上的第二導電類型阱區(qū)；位于所述第一導電類型阱區(qū)上的第一電極層；位于所述第二導電類型阱區(qū)上的第二電極層；其中，所述第一導電類型和所述第二導電類型中，其中一個為N型，另一個為P型。根據(jù)本申請實施例提供的二極管，能夠降低二極管的生產(chǎn)成本。

技術領域

本申請屬于半導體技術領域，尤其涉及一種二極管。

背景技術

二極管作為最早誕生的半導體器件之一，應用非常廣泛。例如在各種電子電路中，利用二極管和電阻、電容、電感等元器件進行合理的連接，可以實現(xiàn)對交流電整流、對調制信號檢波、限幅和鉗位以及對電源電壓的穩(wěn)壓等多種功能。

隨著科技和經(jīng)濟的蓬勃發(fā)展，二極管的需求量也越來越大。那么，相應地便需要考慮二極管的成本問題。現(xiàn)有的二極管的生產(chǎn)過程中，通常使用一些價格較為昂貴的晶圓來作為生產(chǎn)二極管的原料，例如背面擴散晶圓 (back diffused wafer，簡稱BD wafer)，由于原料價格昂貴，致使二極管的生產(chǎn)成本居高不下。

實用新型內(nèi)容

本申請實施例提供一種二極管，能夠解決現(xiàn)有的二極管的生產(chǎn)成本高昂的技術問題。

第一方面，本申請實施例提供一種二極管，二極管包括：

第一導電類型的襯底，所述襯底包括塊晶圓或由以下任意一種方法制成的晶圓：中子嬗變摻雜法、直拉法、區(qū)熔法、直拉區(qū)熔法和磁控拉晶法，所述襯底包括相對的第一表面和第二表面；

位于所述襯底的第一表面上的第一導電類型阱區(qū)；

位于所述襯底的第二表面上的第二導電類型阱區(qū)；

位于所述第一導電類型阱區(qū)上的第一電極層；

位于所述第二導電類型阱區(qū)上的第二電極層；

其中，所述第一導電類型和所述第二導電類型中，其中一個為N型，另一個為P型。

在一個實施例中，所述二極管還包括：

第二導電類型的浮空場限環(huán)，所述浮空場限環(huán)由第二表面向襯底內(nèi)部延伸設置、且位于第二導電類型阱區(qū)周圍。

在一個實施例中，所述二極管還包括：

第一導電類型的電場截止環(huán)，所述電場截止環(huán)由所述第二表面向所述襯底內(nèi)部延伸設置、且位于所述第二導電類型阱區(qū)周圍。

在一個實施例中，所述二極管包括耐壓值大于或等于800V的二極管。

在一個實施例中，第二導電類型阱區(qū)為在去除目標厚度的襯底的第二表面上形成。

在一個實施例中，所述目標厚度大于或等于所述第一導電類型阱區(qū)的深度。

在一個實施例中，所述二極管還包括：

位于所述第二表面上的氧化層，所述氧化層覆蓋所述第一導電類型電場截止環(huán)和部分所述第二導電類型阱區(qū)。

在一個實施例中，所述第一導電類型為N型，所述第二導電類型為P 型。

在另一個實施例中，所述第一導電類型為P型，所述第二導電類型為 N型。