[實用新型]二極管有效
| 申請號： | 202022006235.5 | 申請日： | 2020-09-14 |
| 公開（公告）號： | CN213124448U | 公開（公告）日： | 2021-05-04 |
| 發明（設計）人： | 尹江龍;章劍鋒;向軍利 | 申請（專利權）人： | 瑞能半導體科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/861 | 分類號： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258 | 代理人： | 趙秀芹 |
| 地址： | 330052 江西省南昌市南昌縣*** | 國省代碼： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 二極管 | ||
1.一種二極管，其特征在于，所述二極管包括：
第一導電類型的襯底，所述襯底包括塊晶圓或由以下任意一種方法制成的晶圓：中子嬗變摻雜法、直拉法、區熔法、直拉區熔法和磁控拉晶法，所述襯底包括相對的第一表面和第二表面；
位于所述襯底的第一表面上的第一導電類型阱區；
位于所述襯底的第二表面上的第二導電類型阱區；
位于所述第一導電類型阱區上的第一電極層；
位于所述第二導電類型阱區上的第二電極層；
其中，所述第一導電類型和所述第二導電類型中，其中一個為N型，另一個為P型。
2.根據權利要求1所述的二極管，其特征在于，所述二極管還包括：
第二導電類型的浮空場限環，所述浮空場限環由第二表面向襯底內部延伸設置、且位于第二導電類型阱區周圍。
3.根據權利要求1所述的二極管，其特征在于，所述二極管還包括：
第一導電類型的電場截止環，所述電場截止環由所述第二表面向所述襯底內部延伸設置、且位于所述第二導電類型阱區周圍。
4.根據權利要求1所述的二極管，其特征在于，所述二極管包括耐壓值大于或等于800V的二極管。
5.根據權利要求1所述的二極管，其特征在于，第二導電類型阱區為在去除目標厚度的襯底的第二表面上形成。
6.根據權利要求5所述的二極管，其特征在于，所述目標厚度大于或等于所述第一導電類型阱區的深度。
7.根據權利要求2所述的二極管，其特征在于，所述二極管還包括：
位于所述第二表面上的氧化層，所述氧化層覆蓋所述第一導電類型電場截止環和部分所述第二導電類型阱區。
8.根據權利要求1所述的二極管，其特征在于，所述第一導電類型為N型，所述第二導電類型為P型。
9.根據權利要求1所述的二極管，其特征在于，所述第一導電類型為P型，所述第二導電類型為N型。
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