[實(shí)用新型]一種碳化硅晶體生長(zhǎng)用坩堝及裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202021994413.3 | 申請(qǐng)日： | 2020-09-11 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN213142283U | 公開（公告）日： | 2021-05-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 舒天宇;王宗玉;劉圓圓;周敏;黃治成 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C30B23/00 | 分類號(hào)： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京君慧知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 馮妙娜 |
| 地址： | 250118 山*** | 國(guó)省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 碳化硅 晶體生長(zhǎng) 坩堝 裝置 | ||
1.一種碳化硅晶體生長(zhǎng)用坩堝，其特征在于，所述坩堝包括:
坩堝蓋，
第一坩堝體，所述第一坩堝體為兩端開口的筒狀，所述坩堝蓋設(shè)置于第二坩堝體上方；
第二坩堝體，所述第二坩堝體為一端開口的筒狀，第二坩堝體位于第一坩堝體的下方；
連接裝置，所述第一坩堝體和第二坩堝體通過(guò)連接裝置連接形成內(nèi)部腔體，所述連接裝置包括多個(gè)可轉(zhuǎn)動(dòng)的隔板，多個(gè)隔板設(shè)置于所述腔體內(nèi)；多個(gè)隔板轉(zhuǎn)動(dòng)至多個(gè)隔板之間和隔板與腔體之間無(wú)空隙，則所述多個(gè)隔板隔斷第一坩堝體和第二坩堝體；多個(gè)隔板轉(zhuǎn)動(dòng)至多個(gè)隔板之間和/或隔板與腔體之間有空隙，則所述第一坩堝體通過(guò)所述空隙與第二坩堝體連通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅晶體生長(zhǎng)用坩堝，其特征在于，所述連接裝置還包括兩端開口的中空筒體，所述第一坩堝體和第二坩堝體通過(guò)所述筒體連接，
所述隔板設(shè)置在所述筒體的內(nèi)部。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的碳化硅晶體生長(zhǎng)用坩堝，其特征在于，所述隔板沿筒體的徑向延伸，所述隔板抵靠筒體的側(cè)部設(shè)置為與筒體內(nèi)側(cè)壁配合的弧形。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的碳化硅晶體生長(zhǎng)用坩堝，其特征在于，多個(gè)所述隔板的長(zhǎng)度沿筒體直徑方向由內(nèi)向外依次降低，
所述多個(gè)隔板的寬度相同，
所述隔板的數(shù)量為至少三個(gè)以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的碳化硅晶體生長(zhǎng)用坩堝，其特征在于，所述第一坩堝體底壁設(shè)置有第一凸起，所述筒體頂壁設(shè)置有與第一凸起相配合的第一臺(tái)階面；
所述第二坩堝體頂壁設(shè)置有第二凸起，所述筒體底壁設(shè)置有與第二凸起相配合的第二臺(tái)階面。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的碳化硅晶體生長(zhǎng)用坩堝，其特征在于，第一臺(tái)階面與第一凸起設(shè)置有配合密封的螺紋，和/或
第二臺(tái)階面與第二凸起設(shè)置有配合密封的螺紋。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的碳化硅晶體生長(zhǎng)用坩堝，其特征在于，所述連接裝置還包括轉(zhuǎn)動(dòng)機(jī)構(gòu)，
所述轉(zhuǎn)動(dòng)機(jī)構(gòu)包括支架、轉(zhuǎn)軸和多個(gè)傳動(dòng)軸，所述傳動(dòng)軸的一端固定在支架內(nèi)側(cè)，另一端通過(guò)齒輪與轉(zhuǎn)軸連接，所述轉(zhuǎn)軸設(shè)置在支架外側(cè)，
所述傳動(dòng)軸的數(shù)量與隔板的數(shù)量相等，所述傳動(dòng)軸沿隔板的長(zhǎng)度方向穿過(guò)隔板的內(nèi)部。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的碳化硅晶體生長(zhǎng)用坩堝，其特征在于，所述筒體側(cè)壁設(shè)置有多個(gè)傳動(dòng)軸穿過(guò)的通孔，所述通孔的直徑與所述傳動(dòng)軸的外徑相等。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的碳化硅晶體生長(zhǎng)用坩堝，其特征在于，所述筒體與隔板均采用石墨材質(zhì)制成；
所述第一坩堝體的高度不小于所述第二坩堝體的高度。
10.一種碳化硅晶體生長(zhǎng)裝置，其特征在于，所述裝置包括權(quán)利要求1～9任一項(xiàng)所述的碳化硅晶體生長(zhǎng)用坩堝，
所述裝置還包括爐體和加熱裝置，所述坩堝設(shè)置于所述爐體內(nèi)部；所述加熱裝置設(shè)置在所述爐體的外周部，用于對(duì)所述坩堝加熱。
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