本實用新型公開一種噴嘴和噴嘴系統，用于向半導體設備中的工藝腔輸送氣體，所述噴嘴設有第一勻氣腔、多個第一送氣通道和多個第二送氣通道，所述第一勻氣腔位于所述噴嘴中，多個所述第一送氣通道和多個所述第二送氣通道均環繞所述噴嘴的軸線設置，各所述第一送氣通道的一端均用于與第一氣源連通，各所述第一送氣通道的另一端均與所述第一勻氣腔連通，各所述第二送氣通道的一端均與所述第一勻氣腔連通，各所述第二送氣通道的另一端均用于與所述工藝腔連通。上述噴嘴可以解決目前噴嘴中因不同的邊緣進氣孔與送氣孔之間的間距不同，導致不同的邊緣進氣孔內的流量不同，造成工藝腔內的工藝氣體的分布均勻性仍相對較差的問題。

技術領域

本實用新型涉及半導體加工設備技術領域，尤其涉及一種噴嘴和噴嘴系統。

背景技術

在半導體的加工過程中，通常需要借助工藝氣體經電離產生的等離子體對被刻蝕材料進行刻蝕。半導體設備中具有工藝腔，一般會借助噴嘴向工藝腔內噴送工藝氣體。為了提升工藝腔內工藝氣體的分布均勻性，目前的噴嘴通常設有邊緣進氣結構和中心進氣結構，以分別向工藝腔的邊緣區域和中心區域噴送工藝氣體。由于工藝腔為立體結構，因此，邊緣進氣結構通常包括多個邊緣進氣孔，多個邊緣進氣孔圍繞中心進氣結構設置，從而借助多個邊緣進氣孔進一步提升噴送至工藝腔內的工藝氣體的均勻程度。目前，一般在噴嘴上方設置氣路連接件，氣路連接件設有環形連通腔，通過使多個邊緣進氣孔均與環形連通腔連通，使得僅在氣路連接件上設置一個與環形連通腔相互連通的送氣孔即可同時為多個邊緣進氣孔同時送氣，從而可以降低為多個邊緣進氣孔的送氣難度。

但是，目前采用的上述技術方案在實施過程中，因送氣孔與不同的邊緣進氣孔之間的路徑的長度不同，從而在為多個邊緣進氣孔送氣的過程中，會出現與送氣孔之間距離較近的邊緣進氣孔的流量大于與送氣孔之間距離較遠的邊緣進氣孔的流量，從而導致工藝腔內的工藝氣體的分布均勻性仍相對較差。

實用新型內容

本實用新型公開一種噴嘴和噴嘴系統，以解決目前噴嘴中因不同的邊緣進氣孔與送氣孔之間的間距不同，導致不同的邊緣進氣孔內的流量不同，造成工藝腔內的工藝氣體的分布均勻性仍相對較差的問題。

為了解決上述問題，本實用新型采用下述技術方案：

第一方面，本實用新型實施例公開一種噴嘴，用于向半導體設備中的工藝腔輸送氣體，所述噴嘴設有第一勻氣腔、多個第一送氣通道和多個第二送氣通道，所述第一勻氣腔位于所述噴嘴中，多個所述第一送氣通道和多個所述第二送氣通道均環繞所述噴嘴的軸線設置，各所述第一送氣通道的一端均用于與第一氣源連通，各所述第一送氣通道的另一端均與所述第一勻氣腔連通，各所述第二送氣通道的一端均與所述第一勻氣腔連通，各所述第二送氣通道的另一端均用于與所述工藝腔連通。

第二方面，本實用新型實施例公開一種噴嘴系統，其包括氣路連接件和噴嘴，其中，

所述噴嘴設有第一勻氣腔、多個第一送氣通道和多個第二送氣通道，多個所述第一送氣通道均通過所述第一勻氣腔與多個第二送氣通道連通，所述氣路連接件設有第一氣源通道，所述第一氣源通道用于與第一氣源連接，且各所述第一送氣通道的一端均與所述第一氣源通道連通；

或者，所述噴嘴設有第一勻氣腔、第二勻氣腔、多個第一送氣通道、多個第二送氣通道、多個第三送氣通道和多個第四送氣通道，多個所述第一送氣通道均通過所述第一勻氣腔與多個第二送氣通道連通，多個所述第三送氣通道均通過所述第二勻氣腔與多個第四送氣通道連通，所述氣路連接件設有第一氣源通道和第二氣源通道，所述第一氣源通道用于與第一氣源連接，且各所述第一送氣通道的一端均與所述第一氣源通道連通，所述第二氣源通道用于與第二氣源連接，且各所述第三送氣通道的一端均與所述第二氣源通道連通。

本實用新型采用的技術方案能夠達到以下有益效果：