本實用新型提供一種單芯片電流傳感器，所述單芯片電流傳感器包括：基于同一個襯底形成的信號處理電路、磁傳感器和電流走線，其中，所述信號處理電路與所述磁傳感器通過過孔金屬電性相連。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型將信號處理電路、磁傳感器和電流走線集成在同一個襯底，從而使本實用新型中的單芯片電流傳感器具有高集成性和低成本。

【技術(shù)領(lǐng)域】

本實用新型涉及半導(dǎo)體器件的制造領(lǐng)域，尤其涉及一種單芯片電流傳感器。

【背景技術(shù)】

用于測量電流大小的電流傳感器廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。但是，傳統(tǒng)的電流傳感器，通過封裝工藝將信號處理電路、磁電阻傳感器和電流走線組裝在一起。缺點是，集成度低，成本高。

因此，有必要提出一種技術(shù)方案來克服上述問題。

【實用新型內(nèi)容】

本實用新型的目的之一在于提供一種單芯片電流傳感器，其具有高集成性和低成本。

根據(jù)本實用新型的一個方面，本實用新型提供一種單芯片電流傳感器，其包括：基于同一個襯底形成的信號處理電路、磁傳感器和電流走線，其中，所述信號處理電路與所述磁傳感器通過過孔金屬電性相連。

進(jìn)一步的，所述過孔金屬是由沉積的第一金屬層圖形化制得的；所述電流走線是由沉積的第二金屬層圖形化制得的；所述磁傳感器是由沉積的磁性化薄膜圖形化制得的。

進(jìn)一步的，所述信號處理電路位于所述襯底上；所述磁傳感器位于所述信號處理電路的上方；所述電流走線位于所述磁傳感器的上方。

進(jìn)一步的，所述單芯片電流傳感器還包括：第一絕緣介質(zhì)層，其位于所述磁傳感器和所述信號處理電路之間，所述過孔金屬穿過所述第一絕緣介質(zhì)層；第二絕緣介質(zhì)層，其位于所述電流走線和所述磁傳感器之間。

進(jìn)一步的，所述第一絕緣介質(zhì)層內(nèi)形成有貫穿其厚度的第一通孔，所述第一通孔底部暴露所述信號處理電路；所述過孔金屬填充所述第一通孔且覆蓋所述第一通孔的頂部。

進(jìn)一步的，所述單芯片電流傳感器還包括第三絕緣介質(zhì)層，所述第三絕緣介質(zhì)層位于所述第一絕緣介質(zhì)層和所述過孔金屬上方，且位于所述磁傳感器下方，所述第三絕緣介質(zhì)層內(nèi)形成有貫穿其厚度的第二通孔，所述第二通孔底部暴露所述過孔金屬，所述磁傳感器的部分連接端填充所述第二通孔，以與所述過孔金屬電性連接。

進(jìn)一步的，所述電流走線為U型走線，其包括第一腿部，第二腿部，以及連接所述第一腿部和第二腿部的連接部；所述磁傳感器為磁電阻傳感器，所述磁電阻傳感器包括第一磁電阻傳感器單元和第二磁電阻傳感器單元，所述第一磁電阻傳感器單元和所述第二磁電阻傳感器單元分別與所述U型走線的第一腿部和第二腿部相對，以形成差分輸出。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型將信號處理電路、磁傳感器和電流走線集成在同一個襯底，從而使本實用新型中的單芯片電流傳感器具有高集成性和低成本。

【附圖說明】

為了更清楚地說明本實用新型實施例的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。其中：

圖1為本實用新型在一個實施例中的單芯片電流傳感器的縱向剖面示意圖；

圖2為本實用新型在一個實施例中的單芯片電流傳感器的制造方法的流程示意圖；

圖3-圖9為本實用新型在一個實施例中，圖2所示的各步驟對應(yīng)的縱剖面圖；

圖10為圖1所示的單芯片電流傳感器在一個實施例中的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】

為使本實用新型的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和具體實施方式對本實用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。