[實(shí)用新型]單芯片電流傳感器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202020962736.8 | 申請日： | 2020-05-29 |
| 公開（公告）號： | CN212932754U | 公開（公告）日： | 2021-04-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李大來;蔣樂躍 | 申請（專利權(quán)）人： | 新納傳感系統(tǒng)有限公司 |
| 主分類號： | G01R15/20 | 分類號： | G01R15/20;G01R19/00;H01L21/768 |
| 代理公司： | 蘇州簡理知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32371 | 代理人： | 朱亦倩 |
| 地址： | 214000 江蘇省無錫市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 芯片 電流傳感器 | ||
1.一種單芯片電流傳感器，其特征在于，其包括：
基于同一個(gè)襯底形成的信號處理電路、磁傳感器和電流走線，
其中，所述信號處理電路與所述磁傳感器通過過孔金屬電性相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單芯片電流傳感器，其特征在于，
所述過孔金屬是由沉積的第一金屬層圖形化制得的；
所述電流走線是由沉積的第二金屬層圖形化制得的；
所述磁傳感器是由沉積的磁性化薄膜圖形化制得的。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單芯片電流傳感器，其特征在于，
所述信號處理電路位于所述襯底上；
所述磁傳感器位于所述信號處理電路的上方；
所述電流走線位于所述磁傳感器的上方。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的單芯片電流傳感器，其特征在于，其還包括：
第一絕緣介質(zhì)層，其位于所述磁傳感器和所述信號處理電路之間，所述過孔金屬穿過所述第一絕緣介質(zhì)層；
第二絕緣介質(zhì)層，其位于所述電流走線和所述磁傳感器之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的單芯片電流傳感器，其特征在于，
所述第一絕緣介質(zhì)層內(nèi)形成有貫穿其厚度的第一通孔，所述第一通孔底部暴露所述信號處理電路；
所述過孔金屬填充所述第一通孔且覆蓋所述第一通孔的頂部。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的單芯片電流傳感器，其特征在于，其還包括第三絕緣介質(zhì)層，所述第三絕緣介質(zhì)層位于所述第一絕緣介質(zhì)層和所述過孔金屬上方，且位于所述磁傳感器下方，
所述第三絕緣介質(zhì)層內(nèi)形成有貫穿其厚度的第二通孔，所述第二通孔底部暴露所述過孔金屬，
所述磁傳感器的部分連接端填充所述第二通孔，以與所述過孔金屬電性連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一所述的單芯片電流傳感器，其特征在于，
所述電流走線為U型走線，其包括第一腿部，第二腿部，以及連接所述第一腿部和第二腿部的連接部；
所述磁傳感器為磁電阻傳感器，所述磁電阻傳感器包括第一磁電阻傳感器單元和第二磁電阻傳感器單元，所述第一磁電阻傳感器單元和所述第二磁電阻傳感器單元分別與所述U型走線的第一腿部和第二腿部相對，以形成差分輸出。
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