本實(shí)用新型提供一種重新布線層，包括：擴(kuò)散阻擋層，具有相對(duì)的第一面和第二面；金屬種子層，位于擴(kuò)散阻擋層的第一面；位于金屬種子層上的金屬線層；位于金屬線層上的疊層結(jié)構(gòu)，疊層結(jié)構(gòu)包括至少兩層緩沖層，每層緩沖層的表面具有延伸至其內(nèi)部的多個(gè)孔隙，且相鄰兩層緩沖層表面的孔隙的位置不相同；位于疊層結(jié)構(gòu)上的保護(hù)層；將金屬線層電引出的鍵合線。通過電形成至少兩層緩沖層，有效提高了疊層結(jié)構(gòu)的連續(xù)性，同時(shí)提高了保護(hù)層的連續(xù)性，保證疊層結(jié)構(gòu)與保護(hù)層之間的粘合力，提高了重新布線層的穩(wěn)定性能；在后續(xù)的打線工藝中，疊層結(jié)構(gòu)與保護(hù)層之間不易出現(xiàn)剝離現(xiàn)象，提高了重新布線層的產(chǎn)品良率。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及集成電路中晶圓級(jí)封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種重新布線層。

背景技術(shù)

隨著集成電路的功能越來越強(qiáng)、性能和集成度越來越高，以及新型集成電路的出現(xiàn)，封裝技術(shù)在集成電路產(chǎn)品中扮演著越來越重要的角色，在整個(gè)電子系統(tǒng)的價(jià)值中所占的比例越來越大。同時(shí)，隨著集成電路特征尺寸達(dá)到納米級(jí)，晶體管向更高的密度、更高的時(shí)鐘頻率發(fā)展，封裝也向更高密度的方向發(fā)展。

晶圓級(jí)封裝(WLP)技術(shù)由于具有小型化、低成本、高集成度以及具有更好的性能和更高的能源效率等優(yōu)點(diǎn)，因此，已成為高要求的移動(dòng)/無線網(wǎng)絡(luò)等電子設(shè)備的重要的封裝方法，是目前最具發(fā)展前景的封裝技術(shù)之一。WLP技術(shù)是將整個(gè)晶圓作為封裝和測試對(duì)象，然后切割成單個(gè)成品芯片，該封裝工藝不同于傳統(tǒng)的芯片封裝工藝。WLP技術(shù)的封裝芯片的尺寸比傳統(tǒng)封裝工藝的封裝芯片的尺寸小約20％。因此，晶圓級(jí)封裝芯片的體積與裸芯片的尺寸幾乎相同，這可以大大減小封裝芯片尺寸。

在現(xiàn)有WLP工藝中，重新布線層(RDL)的制造是整個(gè)WLP流程中較復(fù)雜、較昂貴的部分，RDL一般包括介質(zhì)層及金屬層，其可對(duì)芯片的焊盤的焊區(qū)位置進(jìn)行重新布局，使新焊區(qū)滿足對(duì)焊料球最小間距的要求，并使新焊區(qū)按照陣列排布。

現(xiàn)有RDL工藝中，依次形成金屬線層、緩沖層及保護(hù)層作為RDL中的金屬層，當(dāng)形成金屬層后，在保護(hù)層表面會(huì)形成延伸至緩沖層中的孔隙，造成保護(hù)層結(jié)構(gòu)的不連續(xù)，如圖17所示在SEM圖下，顯示為黑斑和/或凹坑，該孔隙會(huì)降低緩沖層與保護(hù)層之間的粘合力以及保護(hù)層的硬度，從而提高后續(xù)打線過程中保護(hù)層剝離的風(fēng)險(xiǎn)，降低RDL的穩(wěn)定性。

實(shí)用新型內(nèi)容

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本實(shí)用新型的目的在于提供一種重新布線層，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中在制備由金屬線層、緩沖層及保護(hù)層作為重新布線層的金屬層時(shí)，在保護(hù)層表面會(huì)形成延伸至緩沖層中的孔隙，該孔隙會(huì)降低緩沖層與保護(hù)層之間的粘合力以及保護(hù)層的硬度，從而提高后續(xù)打線過程中保護(hù)層剝離的風(fēng)險(xiǎn)等的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本實(shí)用新型提供一種重新布線層，所述重新布線層至少包括：

擴(kuò)散阻擋層，具有相對(duì)的第一面和第二面；

金屬種子層，位于所述擴(kuò)散阻擋層的第一面；

位于所述金屬種子層上的金屬線層；

位于所述金屬線層上的疊層結(jié)構(gòu)，所述疊層結(jié)構(gòu)包括至少兩層緩沖層，每層所述緩沖層的表面具有延伸至其內(nèi)部的多個(gè)孔隙，且相鄰兩層所述緩沖層表面的所述孔隙的位置不相同；

位于所述疊層結(jié)構(gòu)上的保護(hù)層；

將所述金屬線層電引出的鍵合線。

可選地，所述疊層結(jié)構(gòu)的厚度介于1.2μm～4.0μm之間。

可選地，所述疊層結(jié)構(gòu)包括兩層所述緩沖層，第一層所述緩沖層的厚度介于1μm～3μm之間，第二層所述緩沖層的厚度介于0.2μm～1.0μm之間。

可選地，所述擴(kuò)散阻擋層的材料包括Ti、TiN、Ta、TaN、TiW、Cr中的一種或多種，所述金屬種子層的材料包括Cu，所述金屬線層的材料包括鋁、鋁合金、銅或銅合金，所述緩沖層的材料包括Ni，所述保護(hù)層的材料包括Au。