[實用新型]重新布線層有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202020187907.4 | 申請日： | 2020-02-20 |
| 公開（公告）號： | CN211088206U | 公開（公告）日： | 2020-07-24 |
| 發(fā)明（設計）人： | 尹佳山;周祖源;吳政達;林正忠 | 申請（專利權）人： | 中芯長電半導體（江陰）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/60 | 分類號： | H01L21/60;H01L23/485 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 賀妮妮 |
| 地址： | 214437 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 重新 布線 | ||
1.一種重新布線層，其特征在于，所述重新布線層至少包括：
擴散阻擋層，具有相對的第一面和第二面；
金屬種子層，位于所述擴散阻擋層的第一面；
位于所述金屬種子層上的金屬線層；
位于所述金屬線層上的疊層結(jié)構，所述疊層結(jié)構包括至少兩層緩沖層，每層所述緩沖層的表面具有延伸至其內(nèi)部的多個孔隙，且相鄰兩層所述緩沖層表面的所述孔隙的位置不相同；
位于所述疊層結(jié)構上的保護層；
將所述金屬線層電引出的鍵合線。
2.根據(jù)權利要求1所述的重新布線層，其特征在于：所述疊層結(jié)構的厚度介于1.2μm～4.0μm之間。
3.根據(jù)權利要求2所述的重新布線層，其特征在于：所述疊層結(jié)構包括兩層所述緩沖層，第一層所述緩沖層的厚度介于1μm～3μm之間，第二層所述緩沖層的厚度介于0.2μm～1.0μm之間。
4.根據(jù)權利要求1所述的重新布線層，其特征在于：所述擴散阻擋層的材料包括Ti、TiN、Ta、TaN、TiW、Cr中的一種或多種，所述金屬種子層的材料包括Cu，所述金屬線層的材料包括鋁、鋁合金、銅或銅合金，所述緩沖層的材料包括Ni，所述保護層的材料包括Au。
5.根據(jù)權利要求1所述的重新布線層，其特征在于：所述重新布線層還包括絕緣層，所述絕緣層位于所述擴散阻擋層的第二面。
6.根據(jù)權利要求1所述的重新布線層，其特征在于：所述金屬線層的厚度介于3μm～6μm之間，所述保護層的厚度介于0.1μm～1.0μm之間。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
