[實用新型]預潤濕設備及預潤濕系統有效
| 申請號: | 202020143732.7 | 申請日: | 2020-01-21 |
| 公開(公告)號: | CN211376599U | 公開(公告)日: | 2020-08-28 |
| 發明(設計)人: | 史蒂文·賀·汪 | 申請(專利權)人: | 新陽硅密(上海)半導體技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 上海弼興律師事務所 31283 | 代理人: | 薛琦;羅洋 |
| 地址: | 201616 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 潤濕 設備 系統 | ||
本實用新型公開了一種預潤濕設備及預潤濕系統,預潤濕設備用于晶圓的預潤濕,包括第一箱體,所述第一箱體的內部具有容置腔,所述容置腔用于通入預潤濕液體,所述預潤濕設備還包括夾持部,所述夾持部設置在所述容置腔的內部,所述夾持部用于卡持所述晶圓的外圓面,以使所述晶圓浸沒于所述預潤濕液體中。本實用新型利用設置在容置腔內的夾持部卡住晶圓,再向容置腔內充入預潤濕液體,從而將晶圓浸沒在預潤濕液體中,進而使得晶圓的兩個側面都能被預潤濕液體浸潤。本實用新型的預潤濕設備結構簡單,一次即可實現晶圓的兩個側面的潤濕,有利于提高晶圓的預潤濕的預處理的效率。
技術領域
本實用新型涉及晶圓制備領域,特別涉及一種預潤濕設備及預潤濕系統。
背景技術
在對晶圓電鍍之前,通常需要對晶圓進行預濕潤的預處理。預濕潤有利于提高晶圓的電鍍品質,對具有較大深寬比等特征的晶圓,比如晶圓具有TSV溝槽,預濕潤提高晶圓電鍍品質的效果更加明顯。如果晶圓電鍍前不進行預潤濕的預處理,則在電鍍過程中,由于電鍍液的表面張力,電鍍液與晶圓表面之間的固液界面極易形成氣體氣泡,從而引起晶圓的鍍膜金屬夾斷(pinchoff),進而在晶圓的特征底部留下空隙而導致缺陷,諸如電路線被阻斷等。
為了對晶圓進行預濕潤的預處理,可以采用將晶圓平放在能夠轉動的支架上,并將該支架設置在真空室內,同時利用噴嘴將預濕潤流體噴射到晶圓的上側面,以實現晶圓的預濕潤,在該預處理過程中,支架需保持轉動狀態,以帶動晶圓轉動。該專利的技術方案結構復雜、操作不便,且只能對晶圓的上側面噴射預濕潤流體,不利于晶圓的兩側面同時進行預濕潤的預處理。
實用新型內容
本實用新型要解決的技術問題是為了克服現有技術中晶圓的兩側面在預濕潤的預處理中不能同時處理的缺陷,提供一種預潤濕設備及預潤濕系統。
本實用新型是通過下述技術方案來解決上述技術問題:一種預潤濕設備,用于晶圓的預潤濕,包括第一箱體,所述第一箱體的內部具有容置腔,所述容置腔用于通入預潤濕液體,其特點在于,所述預潤濕設備還包括夾持部,所述夾持部設置在所述容置腔的內部,所述夾持部用于卡持所述晶圓的外圓面,以使所述晶圓浸沒于所述預潤濕液體中。
在本實施例中,通過采用以上結構,利用設置在容置腔內的夾持部卡住晶圓,再向容置腔內充入預潤濕液體,從而將晶圓浸沒在預潤濕液體中,進而使得晶圓的兩個側面都能被預潤濕液體浸潤。本方案的預潤濕設備結構簡單,一次即可實現晶圓的兩個側面的潤濕,有利于提高晶圓的預潤濕的預處理的效率。
另外,本方案的預潤濕設備在晶圓的預潤濕的預處理過程中不需要轉動晶圓,避免了動力設備的使用,從而有利于提高預潤濕液體在第一箱體內的穩定性,有利于提高晶圓的預潤濕的處理效果,有利于提高預潤濕設備的穩定性。
較佳地,所述夾持部具有卡槽,所述卡槽用于卡持所述晶圓的外圓面。
在本實施例中,通過采用以上結構,利用結構簡單的卡槽卡持晶圓,在簡化預潤濕設備的同時,也有利于提高晶圓的穩定性。
較佳地,自所述卡槽的入口至所述卡槽的底部,所述卡槽的開口的寬度減小。
在本實施例中,通過采用以上結構,利用卡槽較寬的開口,有利于降低晶圓卡入卡槽的難度,利用卡槽較窄的底部,有利于提高卡持晶圓的穩固性。
較佳地,所述卡槽具有相對設置的第一面及第二面,所述第一面及所述第二面中至少一個設有溝槽。
在本實施例中,通過采用以上結構,利用設置在第一面、第二面的溝槽,在提高卡槽與晶圓之間摩擦力的同時,還有利于減少卡槽與晶圓的接觸面積,使得預潤濕液體能夠通過溝槽接觸晶圓,有利于提高晶圓的預潤濕的處理效果。
較佳地,所述預潤濕設備還包括防濺部,所述防濺部設置在所述容置腔的內部,所述防濺部具套設于所述晶圓的外部,以使至少部分所述晶圓的側面被所述防濺部遮擋。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





