本實用新型涉及一種抗倒伏微結構，包括設置在基底上方的目標微結構體，其特征在于：還包括固結在基底和目標微結構體之間的支撐微結構體，所述支撐微結構體的上表面與目標微結構體的連接面一體連接，所述支撐微結構體的下表面與基底相固結，并且支撐微結構體與基底的固結面積大于目標微結構體的連接面的固結面積。本實用新型中的抗倒伏微結構，在目標微結構體的下方同時制備與基底有更大固結面積的支撐微結構體，如此提高了微結構在基底上的連接牢固性，特別對于與基底的連接面積小且高度較高的目標微結構體，由于支撐微結構體與基底的可靠連接，以及支撐微結構體與目標微結構體一體連接，可有效避免目標微結構體相對于基底發生倒伏的情況。

技術領域

本實用新型涉及一種用飛秒激光雙光子聚合技術制備抗倒伏的大尺寸微結構。

背景技術

近年來，隨著微機電系統、微納電子技術、芯片制造技術的快速發展，如何在基底上制備出穩定存在的微結構受到了廣泛的關注。該技術對于未來微納米制造技術，光刻技術，微型化、集成化、功能化等裝置的制造具有一定的參考價值。與宏觀尺寸物體相比，微觀尺寸的物體質地較脆，黏著力大，尺度效應顯著，所以微結構在制備過程中容易損毀。目前光刻技術主要是在光刻膠中進行，完成光刻后將樣品放入顯影液中進行顯影，在顯影的過程中如果微結構和基底的粘附性不強，顯影液的流動會將微結構毀壞，從而使光刻失敗。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題是針對上述現有技術提供一種在基底上具有強附著力，進而降低目標微結構體出現倒伏情況概率的抗倒伏微結構。

本實用新型解決上述問題所采用的技術方案為：一種抗倒伏微結構，包括設置在基底上方的目標微結構體，其特征在于：還包括固結在基底和目標微結構體之間的支撐微結構體，所述支撐微結構體的上表面與目標微結構體的連接面一體連接，所述支撐微結構體的下表面與基底相固結，并且支撐微結構體與基底的固結面積大于目標微結構體的連接面的固結面積。

為了減少支撐微結構體的制備時間，對應于目標微結構體的每個連接面均匹配設置一個支撐微結構體。

更穩固地，每個支撐微結構體在基底上的投影面積大于目標微結構體(1)對應的連接面在基底上的投影面積。

為了減少支撐微結構體的制備時間，所述支撐微結構體包括多層同心且間隔設置的環形壁。

為了進一步減少支撐微結構體的制備時間，所述支撐微結構體的中心空心設置。

與現有技術相比，本實用新型的優點在于：本實用新型中的抗倒伏微結構，在目標微結構體的下方同時制備與基底有更大固結面積的支撐微結構體，如此提高了微結構在基底上的連接牢固性，特別對于與基底的連接面積小且高度較高的目標微結構體，由于支撐微結構體與基底的可靠連接，以及支撐微結構體與目標微結構體一體連接，可有效避免目標微結構體相對于基底發生倒伏的情況。

附圖說明

圖1為本實用新型實施例中待加工的目標微結構體的立體圖；

圖2為本實用新型實施例中支撐微結構體的俯視圖；

圖3為本實用新型實施例中光刻完成后的微加工體的俯視圖。

具體實施方式

以下結合附圖實施例對本實用新型作進一步詳細描述。