1.一種基于MOFs復合光子晶體薄層的薄層色譜分離方法，其特征在于，所述基于MOFs復合光子晶體薄層的薄層色譜分離方法包括以下步驟：

步驟一，按照質量份數稱取正硅酸乙酯9～12份、無水乙醇3～4份、去離子水12～18份、硝酸溶液1～2份；

步驟二，將正硅酸乙酯和無水乙醇進行混合，加入去離子水，使用磁力攪拌器進行磁力攪拌；在磁力攪拌至溶液分散均勻后，向溶液中滴加硝酸溶液；

步驟三，在硝酸溶液滴加完畢后，將溶液進行攪拌回流至溶液冷卻；向溶液中加入去離子水，超聲分散直至分散均勻，實現膠溶液的制備；

步驟四，將膠溶液涂覆于基片上，設定溫度為40～70℃，對涂覆有膠溶液的基片進行35～55min加熱，對加熱后的基片進行高溫煅燒，得到涂覆有膠溶液的光子晶體薄層；

步驟五，采用化學氣相沉積法進行硅-石墨烯光子晶體薄層的制備：對涂覆有膠溶液的光子晶體薄層進行加熱，同時向涂覆有膠溶液的光子晶體薄層表面通入甲烷與氫氣，在所述涂覆有膠溶液的光子晶體薄層的表面形成石墨烯層，得到硅-石墨烯光子晶體薄層；

步驟六，化學離子吸附液的制備：進行過氧化氫溶液配制，得到濃度為10mol/L的過氧化氫溶液；進行濃硝酸的制備，得到濃度為8mol/L的濃硝酸；按照體積分數進行濃硝酸與過氧化氫溶液的量取；在盛放有濃硝酸的密閉容器中進行過氧化氫溶液的滴加，將濃硝酸與過氧化氫溶液按照體積比為9：1的比例進行混合，得到化學離子吸附液；

步驟七，將硅-石墨烯光子晶體薄層置于制備的化學離子吸附液中進行浸泡，浸泡時間為8～10h，直至硅-石墨烯光子晶體薄層表面羥基量達到預設值，得到表面富含羥基的光子晶體薄層；

步驟八，對光子晶體薄層進行羧基修飾：使用質量濃度為0.005～0.01g/mL的丁二酸酐的二甲基甲酰胺溶液作為表面修飾劑，將表面富含羥基的光子晶體薄層置于表面修飾劑中進行浸泡，浸泡過程中進行加熱，設定加熱溫度為45～60℃進行10～30min加熱，加熱結束后完成浸泡，得到羧基修飾的光子晶體薄層；

步驟九，進行MOFs復合光子晶體薄層的制備：進行金屬離子液體的制備；將羧基修飾的光子晶體薄層置于金屬離子液體中進行浸泡，浸泡時間為6～9h，浸泡結束后將復合光子晶體薄層取出，使用清水沖洗復合光子晶體薄層后使用乙醇進行洗凈，得到MOFs復合光子晶體薄層；

步驟十，進行基于MOFs復合光子晶體薄層的薄層色譜分離：將含有待分析物的溶液點樣在MOFs復合光子晶體薄層上，形成與MOFs復合光子晶體薄層不同結構色的樣品點；待樣品點完全展開，對MOFs復合光子晶體薄層上的樣品點進行數碼照片拍攝；采集空間分辨反射光譜；利用樣品點與MOFs復合光子晶體薄層的結構色差異以及采集的反射光譜信號差異，確定待分析物中各組分的色譜參數。