本申請公開了一種背面減薄晶圓的固定裝置，涉及半導體制造領域。該背面減薄晶圓的固定裝置包括載片臺、至少3個頂柱、邊緣環緊固圈；至少3個頂柱分布在載片臺的頂部，頂柱與減薄晶圓的Taiko環對應；邊緣環緊固圈位于在載片臺的上方，邊緣環緊固圈與載片臺連接；邊緣環緊固圈由卡箍和頂部壓環組成，卡箍設置在頂部壓環的底部，卡箍的內徑等于減薄晶圓的外徑；頂部壓環的內邊緣與卡箍的內側之間的距離小于減薄晶圓的Taiko環的寬度；解決了目前減薄晶圓吸附在載片臺上后，容易抖動或挑動，而從載片臺上剝離的問題；達到了避免背面減薄晶圓在抽真空時從載片臺上剝離，減少晶圓掉片的效果。

技術領域

本申請涉及半導體制造領域，具體涉及一種背面減薄晶圓的固定裝置。

背景技術

功率器件是實現電能轉換的核心器件，主要用途是變頻、逆變等，功率器件可以根據載流子的類型分為雙極型和單級型。

以IGBT器件為例，IGBT器件在制造過程中，先進行正面工藝，在正面工藝完成后進行背面工藝。背面工藝包括背面減薄工藝和背面注入工藝等。背面減薄工藝可以降低正面器件的功耗，背面注入工藝可以降低器件背面的接觸電阻，降低功耗。在進行背面離子注入時，需要將器件固定于離子注入機臺。

離子注入機臺的注入腔室環境為真空，一般情況下，通過對裝載盤(platen)上的不同區域施加不同的電勢來吸附晶圓。然而，經過背面減薄后的晶圓厚度較薄(比如，厚度為100um-200um)，為了防止背面減薄后的晶圓在抽真空時發生形變甚至碎片，會將晶圓正面貼合在載片臺(e-clamp)的支撐板(supporter)上，支撐板會預先充電來吸附晶圓。

然而，在晶圓吸附在載片臺上后，由于吸附力較弱，會導致晶圓局部的翹曲度不同，當晶圓在進樣室中進行真空抽離時，晶圓可能會因抖動或挑動從支撐板上脫落。

發明內容

為了解決相關技術中的問題，本申請提供了一種背面減薄晶圓的固定裝置。該技術方案如下：

一方面，本申請實施例提供了一種背面減薄晶圓的固定裝置，包括載片臺、至少3個頂柱、邊緣環緊固圈；

至少3個頂柱分布在載片臺的頂部，頂柱與減薄晶圓的Taiko環對應；

邊緣環緊固圈位于在載片臺的上方，邊緣環緊固圈與載片臺連接；

邊緣環緊固圈由卡箍和頂部壓環組成，卡箍設置在頂部壓環的底部，卡箍的內徑等于減薄晶圓的外徑；

頂部壓環的內邊緣與卡箍的內側之間的距離小于減薄晶圓的Taiko環的寬度。

可選的，頂柱均勻分布在載片臺頂部的邊緣，與減薄晶圓的Taiko環對應。

可選的，邊緣環緊固圈的卡箍的高度大于與減薄晶圓的Taiko環的厚度。

可選的，邊緣環緊固圈的材料為特氟龍材料。

可選的，頂柱的材料為特氟龍材料。

可選的，邊緣環緊固圈與載片臺通過阻尼定位支架連接；

當減薄晶圓放置在載片臺上時，邊緣環緊固圈扣住減薄晶圓。

可選的，邊緣環緊固圈的卡箍的高度為750mm。

可選的，頂柱的高度為800mm。

本申請技術方案，至少包括如下優點：