[發(fā)明專利]背面減薄晶圓的固定裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011463307.7 | 申請日： | 2020-12-14 |
| 公開（公告）號： | CN112635382B | 公開（公告）日： | 2022-12-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 馬富林;鄭剛;曹志偉 | 申請（專利權(quán)）人： | 華虹半導(dǎo)體（無錫）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/683 | 分類號： | H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人： | 羅雅文 |
| 地址： | 214028 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 背面 減薄晶圓 固定 裝置 | ||
1.一種背面減薄晶圓的固定裝置，其特征在于，包括載片臺、至少3個頂柱、邊緣環(huán)緊固圈；
所述至少3個頂柱分布在所述載片臺的頂部，所述頂柱與減薄晶圓的Taiko環(huán)對應(yīng)；
所述邊緣環(huán)緊固圈位于在所述載片臺的上方，所述邊緣環(huán)緊固圈與所述載片臺連接；
所述邊緣環(huán)緊固圈由卡箍和頂部壓環(huán)組成，所述卡箍設(shè)置在所述頂部壓環(huán)的底部，所述卡箍的內(nèi)徑等于所述減薄晶圓的外徑；
所述頂部壓環(huán)的內(nèi)邊緣與所述卡箍的內(nèi)側(cè)之間的距離小于所述減薄晶圓的Taiko環(huán)的寬度；所述邊緣環(huán)緊固圈的卡箍的高度大于所述減薄晶圓的Taiko環(huán)的厚度；
其中，所述邊緣環(huán)緊固圈與所述載片臺通過阻尼定位支架連接；
當(dāng)所述減薄晶圓放置在所述載片臺上時，所述邊緣環(huán)緊固圈扣住所述減薄晶圓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背面減薄晶圓的固定裝置，其特征在于，所述頂柱均勻分布在所述載片臺頂部的邊緣，與減薄晶圓的Taiko環(huán)對應(yīng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背面減薄晶圓的固定裝置，其特征在于，所述邊緣環(huán)緊固圈的材料為特氟龍材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背面減薄晶圓的固定裝置，其特征在于，所述頂柱的材料為特氟龍材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背面減薄晶圓的固定裝置，其特征在于，所述邊緣環(huán)緊固圈的卡箍的高度為750mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背面減薄晶圓的固定裝置，其特征在于，所述頂柱的高度為800mm。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
