本發(fā)明提供一種超高導(dǎo)熱鋁基覆銅板及其制備方法，涉及金屬基覆銅板制備領(lǐng)域。該超高導(dǎo)熱鋁基覆銅板，包括依次層疊設(shè)置的鍍銅層、沉銅層、第一氧化鋁層、純鋁層、以及第二氧化鋁層。該超高導(dǎo)熱鋁基覆銅板的制備流程更加簡(jiǎn)單，成本更低。同時(shí)，第一氧化鋁層、以及第二氧化鋁層，能夠利用氧化鋁較高的電絕緣性和良好的導(dǎo)熱性，保證該超高導(dǎo)熱鋁基覆銅板具備良好的散熱性能和絕緣性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及金屬基覆銅板制備領(lǐng)域，具體而言，涉及一種超高導(dǎo)熱鋁基覆銅板及其制備方法。

背景技術(shù)

隨著電子技術(shù)的發(fā)展,電子元器件的設(shè)計(jì)越來越小型化、個(gè)性化，線路越來越精細(xì)化，因此需要滿足良好的電路設(shè)計(jì)靈活性和散熱特性的要求。承載電子元件的金屬基覆銅板因其具有絕緣性能優(yōu)異、散熱快、壽命長(zhǎng)和電路設(shè)計(jì)多樣化等特點(diǎn)，以及優(yōu)越的加工特性已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于發(fā)光二極管(Light Emitting Diode，LED)、智能功率模塊、以及電源等領(lǐng)域。

但是，目前的金屬基覆銅板的結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜，制備工藝較為繁瑣。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于，針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種超高導(dǎo)熱鋁基覆銅板及其制備方法，能夠簡(jiǎn)化鋁基覆銅板的制備流程的同時(shí)，保證鋁基覆銅板滿足散熱性能和絕緣性能。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施例采用的技術(shù)方案如下：

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種超高導(dǎo)熱鋁基覆銅板，包括依次層疊設(shè)置的鍍銅層、沉銅層、第一氧化鋁層、純鋁層、以及第二氧化鋁層。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一氧化鋁層、所述純鋁層、以及所述第二氧化鋁層一體成型。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一氧化鋁層的厚度大于或等于55微米(um)、且小于或等于60um。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述第二氧化鋁層的厚度大于或等于3um、且小于或等于5um。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一氧化鋁層的表面粗糙度在0.40至0.20Ra 之間。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述沉銅層的厚度大于或等于5um、且小于或等于 8um。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述鍍銅層的厚度大于或等于30um、且小于或等于 50um。

可選地，所述超高導(dǎo)熱鋁基覆銅板的擊穿電壓為1000-1500V。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種超高導(dǎo)熱鋁基覆銅板制備方法，可以用于制備如第一方面所述的超高導(dǎo)熱鋁基覆銅板。

該超高導(dǎo)熱鋁基覆銅板制備方法包括：

將沖壓后的純鋁板的表面除油處理，并浸置于裝有氧化液的槽內(nèi)對(duì)所述純鋁板的兩個(gè)表面分別進(jìn)行進(jìn)行氧化，得到一體成型、且依次層疊的第一氧化鋁層、純鋁層、以及第二氧化鋁層；

采用濃度為10％-20％的酸液對(duì)所述第一氧化鋁層進(jìn)行酸化處理；

對(duì)酸化處理后的所述第一氧化鋁層的表面進(jìn)行沉銅，在所述第一氧化鋁層表面得到厚度大于或等于5um、且小于或等于8um的沉銅層；

在所述沉銅層表面進(jìn)行鍍銅，得到厚度大于或等于30um、且小于或等于50um的鍍銅層，依次層疊設(shè)置的所述鍍銅層、所述沉銅層、所述第一氧化鋁層、所述純鋁層、以及所述第二氧化鋁層構(gòu)成超高導(dǎo)熱鋁基覆銅板。

可選地，所述將沖壓后的純鋁板的表面除油處理，并浸置于裝有氧化液的槽內(nèi)對(duì)所述純鋁板的兩個(gè)表面分別進(jìn)行進(jìn)行氧化，得到一體成型、且依次層疊的第一氧化鋁層、純鋁層、以及第二氧化鋁層，包括：

將沖壓后的純鋁板的表面除油處理；