[發明專利]裝置結構在審
| 申請號： | 202011308172.7 | 申請日： | 2020-11-20 |
| 公開（公告）號： | CN112825314A | 公開（公告）日： | 2021-05-21 |
| 發明（設計）人： | 方緒南;莊淳鈞;翁振源 | 申請（專利權）人： | 日月光半導體制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/498 | 分類號： | H01L23/498;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 蕭輔寬 |
| 地址： | 中國臺灣高雄市楠梓*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 裝置 結構 | ||
1.一種裝置結構，其包括：
第一電子結構，其具有表面和中心；以及
多個第一電接點，其顯露于所述表面，其中所述第一電接點以隨著距所述中心的距離增加而增加的間距間隔開。
2.根據權利要求1所述的裝置結構，其中所述第一電接點設置在延伸穿過所述第一電子結構的所述中心的多個軸線上，且在兩個最接近的軸線之間存在夾角。
3.根據權利要求1所述的裝置結構，其中所述第一電子結構進一步在所述表面上具有中心區域和外圍區域，所述中心在所述中心區域內，所述外圍區域圍繞所述中心區域，所述第一電接點包括設置在所述中心區域中的至少一個中心電接點、設置在所述外圍區域中且鄰近所述中心區域的多個內部電接點以及設置在所述外圍區域中且遠離所述中心區域的多個外部電接點，且所述外部電接點與最接近所述外部電接點的所述內部電接點之間的間距大于所述內部電接點與最接近所述內部電接點的所述中心電接點之間的間距。
4.根據權利要求3所述的裝置結構，其中兩個相鄰外部電接點之間的間距大于所述外部電接點與最接近所述外部電接點的所述內部電接點之間的所述間距。
5.根據權利要求3所述的裝置結構，其進一步包括對應于所述第一電子結構的第二電子結構和對應于所述第一電接點的多個第二電接點，其中所述第二電子結構具有面朝所述第一電子結構的表面和對應于所述第一電子結構的所述中心的中心，且所述第二電接點顯露于所述表面。
6.根據權利要求5所述的裝置結構，其中兩個相鄰第二電接點之間的間距大于所述內部電接點與最接近所述內部電接點的所述中心電接點之間的所述間距。
7.根據權利要求5所述的裝置結構，其中兩個相鄰第二電接點之間的間距大于所述外部電接點與最接近所述外部電接點的所述內部電接點之間的所述間距。
8.一種裝置結構，其包括：
第一電子結構，其具有表面和中心；以及
多個第一電接點，其顯露于所述表面，其中所述第一電接點中的每一個具有沿其長軸的最大長度，所述長軸延伸穿過所述中心，且所述最大長度隨著距所述中心的距離增加而增加。
9.根據權利要求8所述的裝置結構，其中所述第一電子結構進一步在所述表面上具有中心區域和外圍區域，所述中心在所述中心區域內，所述外圍區域圍繞所述中心區域，所述第一電接點包括設置在所述中心區域中的至少一個中心電接點、設置在所述外圍區域中且鄰近所述中心區域的多個內部電接點以及設置在所述外圍區域中且遠離所述中心區域的多個外部電接點，且所述內部電接點中的每一個的最大長度大于所述中心電接點的最大長度。
10.根據權利要求9所述的裝置結構，其中所述外部電接點中的每一個的最大長度大于所述內部電接點中的每一個的所述最大長度。
11.根據權利要求9所述的裝置結構，其進一步包括對應于所述第一電子結構的第二電子結構和對應于所述第一電接點的多個第二電接點，其中所述第二電子結構具有面朝所述第一電子結構的表面和對應于所述第一電子結構的所述中心的中心，且所述第二電接點顯露于所述表面。
12.根據權利要求11所述的裝置結構，其中所述內部電接點中的每一個的所述最大長度大于所述第二電接點中的每一個的最大長度。
13.根據權利要求11所述的裝置結構，其中所述外部電接點中的每一個的最大長度大于所述第二電接點中的每一個的最大長度。
14.根據權利要求11所述的裝置結構，其中所述第一電子結構為襯底，所述第一電接點為金屬襯墊，所述第二電子結構為半導體裸片，且所述第二電接點為金屬凸塊。
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