技術問題：本發明提供一種能夠抑制固體攝像組件的殘像特性的固體攝像組件用的硅單晶基板及硅磊晶晶圓。解決手段：一種固體攝像組件用的硅單晶基板，是將通過CZ法制作的硅單晶進行切片而獲得的固體攝像組件用的硅單晶基板，其特征在于，所述硅單晶基板是主摻雜物為Ga的p型硅單晶基板，并且B濃度為5×10¹⁴atoms/cm³以下。

技術領域

本發明涉及一種固體攝像組件用的硅單晶基板及硅磊晶晶圓、以及固體攝像組件。

背景技術

固體攝像組件已經應用于以智能手機為首的行動設備。固體攝像組件通過PN結部的空乏層區域(光二極管)捕捉由光產生的載流子，從而將光信息轉換成電子信息而獲得影像(光電轉換)。近年來，隨著像素數的增加，通過將高速緩存設于光二極管附近，從而能夠在短時間內獲得多個圖像，除了高畫質之外，也能夠拍攝以往難以捕捉的、每一個瞬間的照片。這是因為可在短時間內從光二極管讀取數據。

目前的問題在于殘像特性。這是一種由于將因光電效應所產生的載流子捕獲后，經過一定時間后再釋放，因此由于該載流子的影響而造成看到影像殘留的現象。在高功能化且短時間地獲得多個數據時，如果存在該殘像，則意味著之前的攝影數據的影響會殘留。作為殘像特性的原因，認為是基板中的硼與氧的復合體(參照非專利文獻1、2及專利文獻1、2)。

另外，近年來對自動駕駛的期待提高，因此，LiDAR(激光雷達)作為傳感器(眼)而受到注目。這是一種將紅外線作為光源進行照射，并通過傳感器捕捉反射光而測量周圍狀況(距離)的技術，以往，在飛機或山地測量等領域中使用。通過與毫米波組合，能夠進行自動運轉所要求的高精度測量。在該LiDAR系統中，傳感器的部分使用固體攝像組件。其中，關于增加靈敏度的精心構思，正在討論在將光子入射至一個光二極管時，利用二極管的雪崩擊穿(突崩潰)，使載流子產生量倍增而實現高敏感度化的方法。在此領域中，如果產生之前的殘像特性，則有精度下降(雖然本來沒有光，但是感知到有光。另外，為了避免殘像，而設置延遲時間，導致時間分辨率下降等)的可能性。

固體攝像組件除了所述自動運轉以外，也期望在例如設置于工業機械人的視覺傳感器、或用于外科手術等的醫療用途等眾多領域中使用。

由于包含這些光二極管的固體攝像組件使用硅基板制作，因此開發能夠抑制殘像特性的基板非常重要。

現有技術文獻

專利文獻

【專利文獻1】日本特開2019-9212號公報

【專利文獻2】日本特開2019-79834號公報

【專利文獻3】日本專利第3679366號

非專利文獻

【非專利文獻1】第77屆應用物理學會秋季學術演講會，演講論文集14p-P6-10金田翼、大谷章“CMOS影像傳感器的殘像現象機制的闡明1”

【非專利文獻2】第77屆應用物理學會秋季學術演講會，演講論文集14p-P6-10金田翼、大谷章“CMOS影像傳感器的殘像現象機制的闡明2”

發明內容

(一)要解決的技術問題

本發明鑒于上述問題點而做出，其目的在于提供一種能夠抑制固體攝像組件的殘像特性的固體攝像組件用的硅單晶基板及硅磊晶晶圓。

(二)技術方案

為了達成上述目的，本發明提供一種固體攝像組件用的硅單晶基板，是將通過CZ法制作的硅單晶進行切片而獲得的固體攝像組件用的硅單晶基板，其特征在于，所述硅單晶基板是主摻雜物為Ga的p型硅單晶基板，并且B濃度為5×10¹⁴atoms/cm³以下。