[發(fā)明專(zhuān)利]固體攝像組件用的硅單晶基板及硅磊晶晶圓、以及固體攝像組件在審

申請(qǐng)?zhí)枺?/td>	202011203371.1	申請(qǐng)日：	2020-11-02
公開(kāi)（公告）號(hào)：	CN112951932A	公開(kāi)（公告）日：	2021-06-11
發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：	阿部孝夫;大槻剛	申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人：	信越半導(dǎo)體株式會(huì)社
主分類(lèi)號(hào)：	H01L31/0288	分類(lèi)號(hào)：	H01L31/0288;H01L27/146;C30B15/00;C30B29/06
代理公司：	北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002	代理人：	張晶;謝順星
地址：	日本***	國(guó)省代碼：	暫無(wú)信息
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摘要：
搜索關(guān)鍵詞：	固體攝像組件硅單晶基板硅磊晶晶圓以及
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【權(quán)利要求書(shū)】：

1.一種固體攝像組件用的硅單晶基板，是將通過(guò)CZ法制作的硅單晶進(jìn)行切片而獲得的固體攝像組件用的硅單晶基板，其特征在于，

所述硅單晶基板是主摻雜物為Ga的p型硅單晶基板，并且B濃度為5×10¹⁴atoms/cm³以下。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體攝像組件用的硅單晶基板，其特征在于，

所述p型硅單晶基板中的晶格間氧濃度為1ppma以上15ppma以下。

3.一種固體攝像組件，具有光二極管部、內(nèi)存部及運(yùn)算部，其特征在于，

至少所述光二極管部形成于權(quán)利要求1或2所述的固體攝像組件用的硅單晶基板。

4.一種固體攝像組件用的硅磊晶晶圓，是在硅單晶基板的表面具有硅磊晶層的固體攝像組件用的硅磊晶晶圓，其特征在于，

所述硅磊晶層是主摻雜物為Ga的p型磊晶層，并且B濃度為5×10¹⁴atoms/cm³以下。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的固體攝像組件用的硅磊晶晶圓，其特征在于，

所述硅單晶基板是主摻雜物為Ga的p型硅單晶基板，并且B濃度為5×10¹⁴atoms/cm³以下。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的固體攝像組件用的硅磊晶晶圓，其特征在于，

所述硅單晶基板是主摻雜物為B、且B濃度為1×10¹⁸atoms/cm³以上的p⁺型硅單晶基板。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的固體攝像組件用的硅磊晶晶圓，其特征在于，

所述硅單晶基板是主摻雜物為B、且B濃度為1×10¹⁶atoms/cm³以下的p^-型硅單晶基板。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的固體攝像組件用的硅磊晶晶圓，其特征在于，

所述硅單晶基板是n型硅單晶基板。

9.一種固體攝像組件，具有光二極管部、內(nèi)存部及運(yùn)算部，其特征在于，

至少所述光二極管部形成于權(quán)利要求4至8中任一項(xiàng)所述的固體攝像組件用的硅磊晶晶圓的所述硅磊晶層。

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