[發明專利]一種紅外熱堆傳感器及其制作方法在審

申請號：	202011133388.4	申請日：	2020-10-21
公開（公告）號：	CN112129418A	公開（公告）日：	2020-12-25
發明（設計）人：	韓鳳芹;劉孟彬;狄云翔	申請（專利權）人：	中芯集成電路（寧波）有限公司上海分公司
主分類號：	G01J5/20	分類號：	G01J5/20
代理公司：	北京思創大成知識產權代理有限公司 11614	代理人：	張立君
地址：	201210 上海市浦東新區中國（上海***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種紅外傳感器及其制作方法
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【權利要求書】：

1.一種紅外熱堆傳感器的制作方法，其特征在于，包括：

提供第一基板，所述第一基板包括第一區和第二區，所述第一基板具有相對的第一表面和第二表面；

在所述第一區第一表面形成熱電堆結構；

在所述第二區第一表面形成熱敏電阻結構。

2.如權利要求1所述的紅外熱堆傳感器的制作方法，其特征在于，形成熱電堆結構后，形成所述熱敏電阻結構；或者，形成所述熱敏電阻結構后，形成所述熱電堆結構；或者，至少部分所述熱敏電阻結構與所述熱電堆結構同時形成。

3.如權利要求1所述的紅外熱堆傳感器的制作方法，其特征在于，所述熱敏電阻結構包括：單層膜結構或者多層膜結構。

4.如權利要求1所述的紅外熱堆傳感器的制作方法，其特征在于，所述熱敏電阻結構每層膜層的形成方法包括：沉積熱敏材料層，對所述熱敏材料層圖形化形成該層的熱敏電阻膜層；或者，沉積介質層，對所述介質層進行圖形化形成溝槽，在所述溝槽內形成熱敏電阻的每層膜層。

5.如權利要求1所述的紅外熱堆傳感器的制作方法，其特征在于，

所述熱敏電阻結構為單層膜結構；形成所述熱電堆結構的其中一電極時，形成所述熱敏電阻結構。

6.如權利要求1所述的紅外熱堆傳感器的制作方法，其特征在于，所述熱電堆結構包括：第一電極和第二電極；

所述熱敏電阻結構至少為兩層結構；形成第一電極時和形成第二電極時，分別形成所述熱敏電阻結構的其中兩層膜層。

7.如權利要求1所述的紅外熱堆傳感器的制作方法，其特征在于，所述熱敏電阻結構的材料與熱電堆結構的其中一電極的材料相同；或者，所述熱敏電阻結構的材料與熱電堆結構的其中兩個電極的材料相同。

8.如權利要求1所述的紅外熱堆傳感器的制作方法，其特征在于，還包括：在形成所述熱電堆結構后，形成第一互連結構，所述第一互連結構電連接所述熱電堆結構；

形成所述第一互連結構包括：形成互連線或形成焊盤；或者，形成第一插塞和第一互連線。

9.如權利要求8所述的紅外熱堆傳感器的制作方法，其特征在于，形成第一互連結構后，形成所述熱敏電阻結構；或者，形成所述熱敏電阻結構后，形成所述第一互連結構；或者，至少部分所述熱敏電阻結構與所述第一互連結構同時形成。

10.如權利要求1所述的紅外熱堆傳感器的制作方法，其特征在于，所述熱敏電阻結構的材料包括：鋁、銅、鎳、鉻、鐵、鈦、金、銀、鉑、錳、鈷、鋅等一種、兩種或兩種以上的金屬或金屬氧化物；或者半導體材料層；或者含重金屬摻雜的半導體層，所述重金屬摻雜的離子為：鋁、銅、金、鉑、銀、鎳、鐵、錳、鉬、鎢、鈦、鋅、汞、鎘、鉻及釩中的一個或多個。

11.如權利要求1所述的紅外熱堆傳感器的制作方法，其特征在于，所述熱敏電阻的形狀包括S形排布或者螺旋狀排布的線狀面電極。

12.如權利要求4所述的紅外熱堆傳感器的制作方法，其特征在于，所述熱電堆結構的形成方法包括：

在所述第一基板上形成第一電極材料層；圖形化所述第一電極材料層，形成多個分立的所述第一電極；

在所述第一基板和所述第一電極上形成上形成第二電極材料層；圖形化所述第二電極材料層，形成多個分立的所述第二電極，所述第一電極與第二電極相互連接。

13.如權利要求4所述的紅外熱堆傳感器的制作方法，其特征在于，所述第一電極和/或第二電極的材料包括：摻雜半導體材料或者金屬材料，所述摻雜離子包括：P型離子或N型離子，所述金屬的材料包括：鉬、鋁、銅、鎢、鉭、鉑、釕、銠、銥、鉻、鈦、金、鋨、錸、鈀。

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