本發(fā)明公開(kāi)一種LED發(fā)光模組，包括透明膠狀薄膜，所述透明膠狀薄膜上布設(shè)有若干LED芯片，若干LED芯片排設(shè)形成芯片陣列，芯片的出光面朝向透明膠狀薄膜，所述LED芯片的電極面背向透明膠狀薄膜，所述LED芯片嵌入所述透明膠狀薄膜，所述LED芯片的電極面與所述透明膠狀薄膜上靠近電極面的表面的距離不超過(guò)30微米，所述LED芯片的電極面通過(guò)導(dǎo)電材料連接于電路板。同時(shí)也公開(kāi)制作該LED發(fā)光模組的方法。本發(fā)明將巨量轉(zhuǎn)移工藝與成熟的PCB制作工藝融合，解決了傳統(tǒng)PCB單顆固晶效率低良率差的問(wèn)題。且此工藝對(duì)于PCB制作精度的要求比傳統(tǒng)固晶工藝降低了，制作成本、工藝良率都會(huì)極大提高。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及LED發(fā)光芯片模組技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種LED發(fā)光模組及其制造方法。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管(LED)是一種高效節(jié)能、綠色環(huán)保、壽命長(zhǎng)的固態(tài)半導(dǎo)體器件，目前在交通指示、戶內(nèi)外全色顯示、液晶電視背光源、照明等方面有著廣泛的應(yīng)用。

現(xiàn)有的專利號(hào)為201610631000.0的中國(guó)發(fā)明專利中公告了一種LED微顯示陣列倒裝芯片及制作方法，發(fā)明提供的LED微顯示陣列倒裝芯片通過(guò)在襯底上沉積高折射率透明薄膜層材料，實(shí)現(xiàn)了發(fā)光層光源的更好匯聚，解決了光進(jìn)入低折射率藍(lán)寶石襯底后會(huì)發(fā)散的問(wèn)題。但是，該制造方法中，是在襯底上蝕刻芯片，同時(shí)再覆光刻膠，再蝕刻圖案，工藝較為繁瑣，且不適合大面積制作。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是針對(duì)上述背景技術(shù)中存在的不足，提供一種工藝簡(jiǎn)單，適合大面積制作的LED發(fā)光模組制備方法，以及該LED發(fā)光模組。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明先公開(kāi)一種LED發(fā)光模組，采用了如下技術(shù)方案：

一種LED發(fā)光模組，包括透明膠狀薄膜，所述透明膠狀薄膜上布設(shè)有若干LED芯片，若干LED芯片排設(shè)形成芯片陣列，芯片的出光面朝向透明膠狀薄膜，所述LED芯片的電極面背向透明膠狀薄膜，所述LED芯片嵌入所述透明膠狀薄膜，所述LED芯片的電極面與所述透明膠狀薄膜上靠近電極面的表面的距離不超過(guò)30微米，所述LED芯片的電極面通過(guò)導(dǎo)電材料連接于電路板。

本發(fā)明一種LED發(fā)光模組的進(jìn)一步改進(jìn)之處在于，所述導(dǎo)電材料為銀漿、錫膏、各向異性導(dǎo)電膠、錫、錫合金、金、銅、石墨烯、碳納米管等導(dǎo)電材料或其與有機(jī)物混合而成的漿料，所述透明膠狀薄膜的可見(jiàn)光透過(guò)率大于90％，所述透明膠狀薄膜包括硅膠、環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺、聚二甲基硅氧烷中的一種或幾種。

本發(fā)明一種LED發(fā)光模組的進(jìn)一步改進(jìn)之處在于，所述透明膠狀薄膜內(nèi)部還設(shè)置有熒光粉或者量子點(diǎn)。

本發(fā)明一種LED發(fā)光模組的進(jìn)一步改進(jìn)之處在于，所述透明膠狀薄膜的厚度為100～2000μm。

本發(fā)明一種LED發(fā)光模組的進(jìn)一步改進(jìn)之處在于，所述透明膠狀薄膜遠(yuǎn)離LED芯片的一面還設(shè)置有若干不規(guī)則的微結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明還公開(kāi)一種上述LED發(fā)光模組的制造方法，包括如下步驟，

a，在LED芯片電極面上預(yù)設(shè)錫或金或其合金，在基板上按一定間距陣列排設(shè)若干LED芯片，形成LED芯片陣列，所述LED芯片的電極面朝向基板，出光面背向基板；

b，完成步驟a后，在基板上涂覆透明膠狀薄膜，使得透明膠狀薄膜包覆芯片陣列；

c，完成步驟b后，在透明膠狀薄膜上表面加工出若干不規(guī)則的微結(jié)構(gòu)，同時(shí)將步驟b中的涂覆的透明膠狀薄膜固化，得到固化成型的LED芯片陣列；

d，制作與LED芯片陣列排布規(guī)律相匹配的圖案模具和導(dǎo)電電路板；

e，完成步驟c、d后，將LED芯片陣列與導(dǎo)電電路板利用光學(xué)對(duì)準(zhǔn)設(shè)備對(duì)準(zhǔn)并壓合，再加熱實(shí)現(xiàn)LED芯片電極面與導(dǎo)電電路板結(jié)合，形成導(dǎo)電通路。