本發明公開了一種基于激光誘導的HJT電池的制備方法，采用激光對N型a?Si:H層及P型a?Si:H層進行誘導晶化處理形成N型nc?Si:H層、P型nc?Si:H層，本發明還公開了一種基于激光誘導的HJT電池，包括硅片襯底、所述硅片襯底正面依次設有正面SiO₂層、N型nc?Si:H層、正面TCO層和正面電極；所述硅片襯底的背面依次設有背面SiO₂層、P型nc?Si:H層、背面TCO層和背面電極。采用本發明，所述nc?Si:H層具有比a?Si:H層更寬的光學帶隙和更高的電導率，對光的寄生吸收少，與TCO層的接觸電阻小，且電導率更高；本發明的HJT電池引入了nc?Si:H層，具有高電池效率、高載流子傳輸及收集能力及高光轉化效率的優點。

技術領域

本發明涉及光伏高效電池技術領域，尤其涉及一種基于激光誘導的HJT電池的制備方法及HJT電池。

背景技術

隨著光伏行業的興起，市場需求量加大，光伏行業開始研發更高效的電池技術。HJT電池作為近年來業內看好的新電池技術，具有轉換效率高、能耗少、工藝流程簡單、溫度系數小等諸多優點。目前HJT電池的結構中多采用a-Si:H層，然而目前a-Si:H層的材料對光具有明顯的寄生吸收作用，而且a-Si:H層的材料本身的電導率也相對低，與TCO層界面接觸的電阻高，存在一定的缺點，限制HJT電池質量的進一步提升，目前HJT電池無法滿足市場的需求。

發明內容

本發明所要解決的技術問題在于，提供一種基于激光誘導的HJT電池的制備方法，提高HJT電池的電池效率、載流子傳輸及收集能力及光轉化效率。

本發明所要解決的技術問題還在于，提供上述基于激光誘導的HJT電池。

為了解決上述技術問題，本發明提供了一種基于激光誘導的HJT電池的制備方法，包括：

S1、選用硅片襯底，對其進行制絨和清洗處理；

S2、在硅片的表面通過熱氧化工藝沉積正面SiO₂層和背面SiO₂層；

S3、在正面SiO₂層和背面SiO₂層的表面分別沉積N型a-Si:H層及P型a-Si:H層；

S4、利用激光對N型a-Si:H層及P型a-Si:H層進行誘導晶化處理，形成N型nc-Si:H層及P型nc-Si:H層；

S5、在N型nc-Si:H層及P型nc-Si:H層的表面分別形成TCO層；

S6、在TCO層的表面形成正面電極和背面電極，得到成品。

作為上述方案的改進，步驟S2包括：

在工藝溫度為600-800℃的條件下，通入O₂和N₂，在硅片的表面形成正面SiO₂層和背面SiO₂層，所述正面SiO₂層和背面SiO₂層的厚度為1-5nm。

作為上述方案的改進，步驟S3包括：

采用PECVD設備在正面SiO₂層的表面沉積N型a-Si:H層，所述N型a-Si:H層的厚度為1-10nm，光學帶隙為1.5-2.2eV；

采用PECVD設備在背面SiO₂層的表面沉積P型a-Si:H層，所述P型a-Si:H層的厚度為1-10nm，光學帶隙為1.5-2.2eV。

作為上述方案的改進，步驟S3包括：