[發(fā)明專利]基于激光誘導(dǎo)的HJT電池的制備方法及HJT電池在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011073252.9 | 申請(qǐng)日： | 2020-10-09 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112382680A | 公開（公告）日： | 2021-02-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張小明;田得雨;盛健;林綱正;陳剛 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 浙江愛旭太陽能科技有限公司;廣東愛旭科技有限公司;天津愛旭太陽能科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L31/0288 | 分類號(hào)： | H01L31/0288;H01L31/0216;H01L31/0747;H01L31/20 |
| 代理公司： | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡楓;李素蘭 |
| 地址： | 322009 浙江省*** | 國(guó)省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基于 激光 誘導(dǎo) hjt 電池 制備 方法 | ||
1.一種基于激光誘導(dǎo)的HJT電池的制備方法，其特征在于，包括：
(1)選用硅片襯底，對(duì)其進(jìn)行制絨和清洗處理；
(2)在硅片的表面通過熱氧化工藝沉積正面SiO2層和背面SiO2層；
(3)在正面SiO2層和背面SiO2層的表面分別沉積N型a-Si:H層及P型a-Si:H層；
(4)利用激光對(duì)N型a-Si:H層及P型a-Si:H層進(jìn)行誘導(dǎo)晶化處理，形成N型nc-Si:H層及P型nc-Si:H層；
(5)在N型nc-Si:H層及P型nc-Si:H層的表面分別形成TCO層；
(6)在TCO層的表面形成正面電極和背面電極，得到成品。
2.如權(quán)利要求1所述的HJT電池的制備方法，其特征在于，步驟(2)包括：
在工藝溫度為600-800℃的條件下，通入O2和N2，在硅片的表面形成正面SiO2層和背面SiO2層，所述正面SiO2層和背面SiO2層的厚度為1-5nm。
3.如權(quán)利要求1所述的HJT電池的制備方法，其特征在于，步驟(3)包括：
采用PECVD設(shè)備在正面SiO2層的表面沉積N型a-Si:H層，所述N型a-Si:H層的厚度為1-10nm，光學(xué)帶隙為1.5-2.2eV；
采用PECVD設(shè)備在背面SiO2層的表面沉積P型a-Si:H層，所述P型a-Si:H層的厚度為1-10nm，光學(xué)帶隙為1.5-2.2eV。
4.如權(quán)利要求3所述的HJT電池的制備方法，其特征在于，步驟(3)包括：
所述N型a-Si:H層的沉積條件包括：通入的氣體源為SiH4、H2和PH3，SiH4的流量為1-10SLM，H2的流量為5-50SLM，PH3的流量為1-5SLM，沉積溫度為180-200℃，沉積壓強(qiáng)為50-500Pa；
所述P型a-Si:H層的沉積條件包括：通入的氣體源為SiH4、H2和BH3/B2H6/B(CH3)3，SiH4的流量為1-10SLM，H2的流量為5-50SLM，BH3/B2H6/B(CH3)3的流量為1-5SLM，沉積溫度為140-160℃，沉積壓強(qiáng)為50-500Pa。
5.如權(quán)利要求1所述的HJT電池的制備方法，其特征在于，步驟(4)包括：
利用激光對(duì)N型a-Si:H層及P型a-Si:H層進(jìn)行誘導(dǎo)晶化處理，形成N型nc-Si:H層及P型nc-Si:H層，其中，激光的功率為1-15W，激光處理的時(shí)間為50-300s，所述N型nc-Si:H層及P型nc-Si:H層的光學(xué)帶隙為2.6-2.8eV。
6.如權(quán)利要求5所述的HJT電池的制備方法，其特征在于，所述N型a-Si:H層及P型a-Si:H層進(jìn)行激光誘導(dǎo)晶化后，形成微晶晶粒，所述微晶晶粒嵌入在N型a-Si:H層及P型a-Si:H層中，晶粒尺寸與N型a-Si:H層及P型a-Si:H層的厚度相同，晶粒密度達(dá)1018cm-3以上；
所述P型a-Si:H層的暗電導(dǎo)率為0.08-0.1S/cm，所述N型a-Si:H層的暗電導(dǎo)率≥2.0S/cm。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
