[發明專利]耐彎折銅箔及其制備方法和FPC撓性電路板有效

申請號：	202010939817.0	申請日：	2020-09-09
公開（公告）號：	CN112064071B	公開（公告）日：	2021-08-03
發明（設計）人：	劉科海;張志強;丁志強;寇金宗;何夢林;王恩哥	申請（專利權）人：	松山湖材料實驗室
主分類號：	C25D3/38	分類號：	C25D3/38;C25D7/06;H05K1/05;H05K3/02
代理公司：	北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463	代理人：	周宇
地址：	523000 廣東***	國省代碼：	廣東;44
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摘要：
搜索關鍵詞：	耐彎折銅箔及其制備方法 fpc 電路板
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【權利要求書】：

1.一種耐彎折銅箔，其特征在于，包括：單晶耐彎折銅箔或大晶疇耐彎折銅箔；

其中，所述單晶耐彎折銅箔為：在200*200mm或250*300mm的范圍內沒有晶界存在，只有唯一晶疇且所述晶疇的尺寸不小于200*200mm；

所述大晶疇耐彎折銅箔由大晶疇銅箔進行電鍍銅和/或壓延處理后獲得；

其中，所述大晶疇銅箔為：在200*200mm范圍內存在一個以上的晶疇或存在一個以上的晶界，且200*200mm范圍內的晶疇個數＜500個；

其中，所述大晶疇銅箔以及所述單晶耐彎折銅箔由高溫退火法制得后篩選所得，所述高溫退火法包括：將壓延銅箔平置于耐高溫襯底上，放入化學氣相沉積設備中，通入惰性氣體和H₂升溫，其中惰性氣體流量為300-500sccm，H₂流量為20-50sccm；溫度升至800-1100℃時，通入H²進行退火，此時H₂流量為2-500sccm。

2.根據權利要求1所述的耐彎折銅箔，其特征在于，所述耐彎折銅箔的厚度為6-200μm。

3.一種如權利要求1-2任意一項所述的耐彎折銅箔的制備方法，其特征在于，包括：

對所述大晶疇銅箔進行電鍍銅和/或壓延處理后獲得所述大晶疇耐彎折銅箔。

4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，對所述大晶疇銅箔進行電鍍銅和壓延處理的步驟包括：

對所述大晶疇銅箔先進行壓延處理，然后進行電鍍銅處理。

5.根據權利要求3或4所述的制備方法，其特征在于，所述大晶疇銅箔的厚度15-75μm。

6.根據權利要求3或4所述的制備方法，其特征在于，所述電鍍銅的步驟包括：采用電鍍方式在所述大晶疇銅箔的表面形成電鍍銅層，所述電鍍銅層的厚度為0.1-1μm。

7.根據權利要求3或4所述的制備方法，其特征在于，所述壓延處理的步驟包括：輥壓所述大晶疇銅箔，至所述大晶疇銅箔的厚度減少20-50％為止。

8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述壓延處理的步驟包括：將所述大晶疇銅箔在輥壓之前，在300-1000℃退火。

9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述大晶疇銅箔的數量為至少兩層，所述至少兩層大晶疇銅箔疊合布置并進行退火、輥壓。

10.一種FPC撓性電路板，其特征在于，包括如權利要求1-2任意一項所述的耐彎折銅箔。

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