一種反射性光罩及其制造方法，反射性光罩包括基板、設置在基板上的反射性多層、設置在反射性多層上的覆蓋層、設置在覆蓋層上的光催化層，及設置在光催化層上且攜載具有開口的電路圖案的吸收層。光催化層的部分在吸收層的開口處被曝光，且光催化層包括選自由氧化鈦(TiO₂)、氧化錫(SnO)、氧化鋅(ZnO)及硫化鎘(CdS)組成的群組的一者。

技術領域

本揭露關于一種反射性光罩及其制造方法。

背景技術

用于半導體制造中的微影的輻射的波長已自紫外線減小至深紫外線(deepultraviolet；DUV)，且最近減小至極紫外線(extreme ultraviolet；EUV)。元件大小的進一步減小要求微影解析度的進一步提高，此可使用極紫外線微影(extreme ultravioletlithography,EUVL)實現。EUVL采用具有約1nm至100nm(例如，13.5nm)的波長的輻射。因為投影透鏡型曝光裝置無法用于EUV微影中，所以EUV微影中需要全反射光學系統。因此，具有高反射率的EUV反射結構(反射器，諸如，鏡子)為EUV微影中的關鍵技術之一。在EUV微影制程期間使用反射性光罩以形成具有較小特征大小的集成電路。然而，現有反射性光罩易受制造制作缺陷(諸如，氧化)影響，且容易損壞。因此，需要一種反射性光罩及其制造方法以便解決以上問題。

發明內容

依據本揭露的部分實施例，一種反射性光罩包括：一基板；一反射性多層設置在該基板上；一覆蓋層設置在該反射性多層上；一光催化層設置在該覆蓋層上；以及一吸收層設置在該光催化層上并攜載具有開口的電路圖案，其中：該光催化層的部分在該吸收層的所述開口處曝露，該光催化層包括選自由氧化鈦(TiO2)、氧化錫(SnO)、氧化鋅(ZnO)及硫化鎘(CdS)組成的群組的一者。

依據本揭露的部分實施例，一種反射性光罩，包括：一基板；一反射性多層，設置在該基板上；一吸收層，設置在該反射性多層之上且攜載具有開口的電路圖案；以及一光催化層，設置在該吸收層上且在該吸收層的所述開口處設置在該反射性多層之上，其中該光催化層包括選自由氧化鈦(TiO2)、氧化錫(SnO)、氧化鋅(ZnO)及硫化鎘(CdS)組成的群組的一者。

依據本揭露的部分實施例，一種制造一反射性光罩的方法包括：在一光罩素材之上形成一光阻層，該光罩素材包括一基板、在該基板上的一反射性多層、在該反射性多層上的吸收層，及一硬光罩層；圖案化該光阻層；使用該經圖案化的光阻層作為一蝕刻光罩來圖案化該硬光罩層；移除該經圖案化的光阻層；通過使用經圖案化的該硬光罩層作為一蝕刻光罩來圖案化該吸收層；以及在經圖案化的該吸收層之上形成一光催化層，其中：該吸收層攜載具有開口的電路圖案，該光催化層在該吸收層的所述開口處經形成在該反射性多層之上，以及該光催化層包括選自由氧化鈦(TiO2)、氧化錫(SnO)、氧化鋅(ZnO)及硫化鎘(CdS)組成的群組的一者。

附圖說明

當結合隨附諸圖閱讀時，得以自以下詳細描述最佳地理解本揭示案。應強調，根據行業上的標準實務，各種特征并未按比例繪制且僅用于說明目的。事實上，為了論述清楚，可任意地增大或減小各種特征的尺寸。

圖1A為根據本揭示案的實施例的用于極紫外線(EUV)微影曝光工具中的反射性光罩的橫截面圖。圖1B為用于圖1A的反射性光罩的光罩素材的橫截面圖；

圖2為根據本揭示案的實施例的EUV反射性光罩的依序制造制程的流程圖；

圖3A為根據本揭示案的實施例的用于EUV微影曝光工具中的反射性光罩的橫截面圖。圖3B為用于圖3A的反射性光罩的光罩素材的橫截面圖；

圖4為根據本揭示案的實施例的用于EUV微影曝光工具中的反射性光罩的橫截面圖；

圖5為根據本揭示案的實施例的EUV反射性光罩的依序制造制程的流程圖；