[發明專利]反射性光罩及其制造方法在審
| 申請號: | 202010908400.8 | 申請日: | 2020-09-02 |
| 公開(公告)號: | CN112445062A | 公開(公告)日: | 2021-03-05 |
| 發明(設計)人: | 陳慶煌;孫啟元;林華泰;李信昌;陳明威 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/54 | 分類號: | G03F1/54;G03F1/24;G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 反射 性光罩 及其 制造 方法 | ||
1.一種反射性光罩,其特征在于,包括:
一基板;
一反射性多層,設置在該基板上;
一覆蓋層,設置在該反射性多層上;
一光催化層,設置在該覆蓋層上;以及
一吸收層,設置在該光催化層上并攜載具有開口的電路圖案,其中:
該光催化層的部分在該吸收層的所述開口處曝露,以及
該光催化層包括選自由氧化鈦(TiO2)、氧化錫(SnO)、氧化鋅(ZnO)及硫化鎘(CdS)組成的群組的一者。
2.根據權利要求1所述的反射性光罩,其特征在于,該覆蓋層包括釕或釕合金。
3.根據權利要求2所述的反射性光罩,其特征在于,該釕合金為釕與選自由釙、汞、鋨、銠、鈀、銥、鈮及鉑組成的群組的至少一者的合金。
4.根據權利要求1所述的反射性光罩,其特征在于,該光催化層包括選自由氧化錫(SnO)、氧化鋅(ZnO)及硫化鎘(CdS)組成的群組的一者。
5.根據權利要求1所述的反射性光罩,其特征在于,進一步包括一保護層,該保護層設置在該吸收層上,且選自由釕、釕合金、氧化鈦、氧化鋯、氧化硅、氮化鈦、氮化鋯及氮化硅組成的群組的一者制成。
6.一種反射性光罩,其特征在于,包括:
一基板;
一反射性多層,設置在該基板上;
一吸收層,設置在該反射性多層之上且攜載具有開口的電路圖案;以及
一光催化層,設置在該吸收層上且在該吸收層的所述開口處設置在該反射性多層之上,
其中該光催化層包括選自由氧化鈦(TiO2)、氧化錫(SnO)、氧化鋅(ZnO)及硫化鎘(CdS)組成的群組的一者。
7.根據權利要求6所述的反射性光罩,其特征在于,進一步包括在該反射性多層與該吸收層之間的一覆蓋層,
其中該光催化層設置在該覆蓋層之上。
8.根據權利要求7所述的反射性光罩,其特征在于,該覆蓋層包括釕或釕合金。
9.根據權利要求8所述的反射性光罩,其特征在于,該釕合金為釕與選自由釙、汞、鋨、銠、鈀、銥、鈮及鉑組成的群組的至少一者的一合金。
10.一種制造一反射性光罩的方法,其特征在于,該方法包括:
在一光罩素材之上形成一光阻層,該光罩素材包括一基板、在該基板上的一反射性多層、在該反射性多層上的吸收層,及一硬光罩層;
圖案化該光阻層;
使用該經圖案化的光阻層作為一蝕刻光罩來圖案化該硬光罩層;
移除該經圖案化的光阻層;
通過使用經圖案化的該硬光罩層作為一蝕刻光罩來圖案化該吸收層;以及
在經圖案化的該吸收層之上形成一光催化層,其中:
該吸收層攜載具有開口的電路圖案,
該光催化層在該吸收層的所述開口處經形成在該反射性多層之上,以及
該光催化層包括選自由氧化鈦(TiO2)、氧化錫(SnO)、氧化鋅(ZnO)及硫化鎘(CdS)組成的群組的一者。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





