[發明專利]一種陣列基板和顯示裝置有效
| 申請號: | 202010877133.2 | 申請日: | 2020-08-27 |
| 公開(公告)號: | CN111965908B | 公開(公告)日: | 2023-10-24 |
| 發明(設計)人: | 蘇秋杰;孫志華;李承珉 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;G02F1/1343;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;胡影 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 顯示裝置 | ||
本發明提供一種陣列基板和顯示裝置。該陣列基板包括襯底基板、沿第一方向延伸的多條數據線和沿第二方向延伸的多條柵線,以及由所述柵線和所述數據線限定的多個像素單元,像素單元包括薄膜晶體管、公共電極和像素電極,薄膜晶體管包括柵極、源漏極和有源層,像素單元還包括第一輔助電極和第二輔助電極,第一輔助電極與公共電極電連接,第二輔助電極與源漏極電連接,第一輔助電極在襯底基板上的正投影與第二輔助電極在襯底基板上的正投影至少部分重疊。第一輔助電極和第二輔助電極之間可以產生輔助存儲電容,對公共電極和像素電極產生的存儲電容進行補償,增大總的存儲電容,可以改善由寄生電容引起的顯示不良問題。
技術領域
本發明涉及液晶顯示技術領域,具體而言涉及一種陣列基板和顯示裝置。
背景技術
近年來,隨著科學技術的發展和生活水平的提高,人們對顯示裝置的要求越來越高,顯示產品逐漸向大尺寸、高分辨率的方向發展。顯示裝置中單個像素的面積不斷減小,像素單元中寄生電容相較于存儲電容的比例越來越大,寄生電容變得不容忽視,。寄生電容的增大會引起橫紋、殘像、Crosstalk等顯示不良問題。
因此,為了保證顯示質量,需要增大存儲電容,減小寄生電容帶來的不良影響。
發明內容
本發明的目的在于提供一種陣列基板和顯示裝置。該陣列基板中第一輔助電極和第二輔助電極之間能形成輔助存儲電容,該輔助存儲電容可以對像素電極與公共電極之間的存儲電容進行補償,增大總的存儲電容,可以改善由寄生電容引起的顯示不良問題,此外還可以降低公共電極的電阻,從而降低顯示裝置的功耗,節約能源。
本發明的至少一個實施例提供了一種陣列基板,其包括襯底基板;
沿第一方向延伸的多條數據線和沿第二方向延伸的多條柵線,以及由所述柵線和所述數據線限定的多個像素單元;所述像素單元包括薄膜晶體管、公共電極和像素電極,所述薄膜晶體管包括柵極、源漏極和有源層,其中,所述像素電極和其相鄰的柵線在第一方向上具有間隙區。
所述像素單元還包括第一輔助電極和第二輔助電極,所述第一輔助電極與所述公共電極電連接,所述第二輔助電極與所述源漏極電連接;其中,所述第一輔助電極在所述襯底基板上的正投影與所述第二輔助電極在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊,且所述第一輔助電極位于所述間隙區內。
可選的,所述像素單元具有非開口區和開口區,所述間隙區位于所述非開口區內。
可選的,所述第一輔助電極為金屬電極,且與所述柵極同層設置。
可選的,所述第一輔助電極與其鄰近的柵線在第一方向上具有第一間距;所述第一輔助電極與其鄰近的像素電極在第一方向上具有第二間距;所述第一間距大于所述第二間距。
可選的,所述第一輔助電極和所述第二輔助電極在第二方向上的長度等于所述像素電極在第二方向上的長度。
可選的,所述第一輔助電極在第一方向上的長度大于所述柵線在第一方向上長度的三分之一,且小于所述柵線在第一方向上長度的二分之一。
可選的,所述間隙區包括第一間隙區和第二間隙區;所述像素電極與其電連接的薄膜晶體管的柵線在第一方向上的間隙區為所述第一間隙區;所述像素電極與下一行像素單元的柵線在第一方向上的間隙區為所述第二間隙區。
可選的,所述第一輔助電極設置于所述第一間隙區,所述第二輔助電極與所述源漏極同層設置且與所述源漏極直接連接。
可選的,所述陣列基板還包括柵極絕緣層和鈍化層;所述柵極設置于所述襯底基板上;所述柵極絕緣層設置于所述柵極遠離所述襯底基板的一側;所述有源層設置于所述柵極絕緣層遠離所述襯底基板的一側;所述源漏極設置于所述有源層遠離所述襯底基板的一側;所述鈍化層位于所述源漏極遠離所述襯底基板的一側;所述公共電極設置于所述襯底基板上,所述像素電極設置于所述鈍化層遠離所述襯底基板的一側。
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