[發明專利]一種陣列基板和顯示裝置有效
| 申請號： | 202010877133.2 | 申請日： | 2020-08-27 |
| 公開（公告）號： | CN111965908B | 公開（公告）日： | 2023-10-24 |
| 發明（設計）人： | 蘇秋杰;孫志華;李承珉 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司 |
| 主分類號： | G02F1/1362 | 分類號： | G02F1/1362;G02F1/1343;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人： | 許靜;胡影 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 陣列 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板，包括：
襯底基板；
沿第一方向延伸的多條數據線和沿第二方向延伸的多條柵線，以及由所述柵線和所述數據線限定的多個像素單元；
所述像素單元包括薄膜晶體管、公共電極和像素電極，所述薄膜晶體管包括柵極、源漏極和有源層，其中，所述像素電極和其相鄰的柵線在第一方向上具有間隙區；
所述像素單元還包括第一輔助電極和第二輔助電極，所述第一輔助電極與所述公共電極電連接，所述第二輔助電極與所述源漏極電連接；其中，
所述第一輔助電極在所述襯底基板上的正投影與所述第二輔助電極在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊，且所述第一輔助電極位于所述間隙區內。
2.根據權利要求1所述的陣列基板，其中，所述像素單元具有非開口區和開口區，所述間隙區位于所述非開口區內。
3.根據權利要求1所述的陣列基板，其中，所述第一輔助電極為金屬電極，且與所述柵極同層設置。
4.根據權利要求1所述的陣列基板，其中，所述第一輔助電極與其鄰近的柵線在第一方向上具有第一間距；
所述第一輔助電極與其鄰近的像素電極在第一方向上具有第二間距；
所述第一間距大于所述第二間距。
5.根據權利要求1所述的陣列基板，其中，所述第一輔助電極和所述第二輔助電極在第二方向上的長度等于所述像素電極在第二方向上的長度。
6.根據權利要求1所述的陣列基板，其中，所述第一輔助電極在第一方向上的長度大于所述柵線在第一方向上長度的三分之一，且小于所述柵線在第一方向上長度的二分之一。
7.根據權利要求1-6任意一項所述的陣列基板，其中，所述間隙區包括第一間隙區和第二間隙區；
所述像素電極與其電連接的薄膜晶體管的柵線在第一方向上的間隙區為所述第一間隙區；
所述像素電極與下一行像素單元的柵線在第一方向上的間隙區為所述第二間隙區。
8.根據權利要求7所述的陣列基板，其中，所述第一輔助電極設置于所述第一間隙區，所述第二輔助電極與所述源漏極同層設置且與所述源漏極直接連接。
9.根據權利要求8所述的陣列基板，其中，所述陣列基板還包括柵極絕緣層和鈍化層；
所述柵極設置于所述襯底基板上；
所述柵極絕緣層設置于所述柵極遠離所述襯底基板的一側；
所述有源層設置于所述柵極絕緣層遠離所述襯底基板的一側；
所述源漏極設置于所述有源層遠離所述襯底基板的一側；
所述鈍化層位于所述源漏極遠離所述襯底基板的一側；
所述公共電極設置于所述襯底基板上，所述像素電極設置于所述鈍化層遠離所述襯底基板的一側。
10.根據權利要求8所述的陣列基板，其中，所述陣列基板還包括柵極絕緣層和鈍化層；
所述柵極設置于所述襯底基板上；
所述柵極絕緣層設置于所述柵極遠離所述襯底基板的一側；
所述有源層設置于所述柵極絕緣層遠離所述襯底基板的一側；
所述源漏極設置于所述有源層遠離所述襯底基板的一側；
所述鈍化層位于所述源漏極遠離所述襯底基板的一側；
所述像素電極設置于所述襯底基板上，所述公共電極設置于所述鈍化層遠離所述襯底基板的一側。
11.根據權利要求8所述的陣列基板，其中，所述陣列基板還包括柵極絕緣層和鈍化層；
所述柵極設置于所述襯底基板上；
所述柵極絕緣層設置于所述柵極遠離所述襯底基板的一側；
所述有源層設置于所述柵極絕緣層遠離所述襯底基板的一側；
所述源漏極設置于所述有源層遠離所述襯底基板的一側；
所述鈍化層位于所述源漏極遠離所述襯底基板的一側；
所述像素電極設置于所述柵極絕緣層遠離所述襯底基板的一側，所述公共電極設置于所述鈍化層遠離所述襯底基板的一側。
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