制造半導體封裝件的方法可包括：在第一載體上形成第一阻擋層；在第一阻擋層上形成包括暴露第一阻擋層的至少一部分的開口的犧牲層；在第一阻擋層上和犧牲層上形成第二阻擋層。第二阻擋層可包括形成在犧牲層上的部分。所述方法還可包括在開口中形成第一絕緣層，第一絕緣層突出超過第二阻擋層的所述部分的頂表面，第一絕緣層的頂表面比第二阻擋層的所述部分的頂表面更遠離第一阻擋層；在第一絕緣層上和第二阻擋層上形成包括再分布層和第二絕緣層的再分布結構；在再分布結構上安裝半導體芯片；將第二載體附著到半導體芯片上并去除第一載體；去除第一阻擋層、犧牲層和第二阻擋層以暴露再分布結構的部分；和分別在再分布結構的所述部分上形成焊料球。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2019年8月30日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2019-0107487的優先權，其公開內容通過引用全部合并于此。

技術領域

本公開涉及制造半導體封裝件的方法。

背景技術

近來，隨著高性能器件越來越受到青睞，不僅半導體芯片的尺寸增加，而且半導體封裝件的尺寸也相應地增加。相比之下，隨著電子設備變得更纖薄，半導體封裝件的厚度減小。

半導體封裝是封裝半導體芯片以將半導體芯片(或半導體裸片)與電子設備電連接的過程。隨著半導體芯片的尺寸減小，已經提出了扇出晶片級封裝(FOWLP)，在FOWLP中，半導體封裝件的輸入端子和輸出端子經由再分布層設置在半導體芯片的外部。由于FOWLP簡單且可用于形成薄的半導體封裝件，因此FOWLP適合于半導體封裝件的小型化和薄型化，并且可以提供改善的熱特性和電特性。

發明內容

本發明構思的實施例提供了具有改善的產品可靠性的半導體封裝件。

本發明構思的實施例還提供了制造具有改善的產品可靠性的半導體封裝件的方法。

根據本發明構思的一些實施例，制造半導體封裝件的方法可以包括：在第一載體上形成第一阻擋層；在所述第一阻擋層上形成犧牲層，所述犧牲層包括暴露所述第一阻擋層的至少一部分的開口；在所述第一阻擋層上和所述犧牲層上形成第二阻擋層，所述第二阻擋層包括形成在所述犧牲層上的部分；在所述開口中形成第一絕緣層，所述第一絕緣層突出超過所述第二阻擋層的所述部分的頂表面，所述第一絕緣層的頂表面比所述第二阻擋層的所述部分的所述頂表面更遠離所述第一阻擋層；在所述第一絕緣層上和所述第二阻擋層上形成包括再分布層和第二絕緣層的再分布結構；在所述再分布結構上安裝半導體芯片；將第二載體附著到所述半導體芯片上并去除所述第一載體；去除所述第一阻擋層、所述犧牲層和所述第二阻擋層以暴露所述再分布結構的部分；以及分別在所述再分布結構的所述部分上形成焊料球。

根據本發明構思的一些實施例，制造半導體封裝件的方法可以包括：在第一載體上順序地形成脫模層和第一阻擋層；在所述第一阻擋層上形成犧牲層，所述犧牲層包括金屬材料和暴露所述第一阻擋層的至少一部分的開口；形成在所述第一阻擋層上和所述犧牲層上延伸的第二阻擋層；在所述開口中形成比所述犧牲層厚的第一絕緣層；在所述第一絕緣層上和所述第二阻擋層上形成包括再分布層和第二絕緣層的再分布結構；在所述再分布結構上安裝半導體芯片；將第二載體附著到所述半導體芯片上，并去除所述第一載體和所述脫模層；去除所述第一阻擋層、所述犧牲層和所述第二阻擋層以暴露所述再分布層的部分；以及分別在所述再分布層的所述部分上形成焊料球。