[發(fā)明專利]制造半導體封裝件的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010844089.5 | 申請日： | 2020-08-20 |
| 公開（公告）號： | CN112447529A | 公開（公告）日： | 2021-03-05 |
| 發(fā)明（設計）人： | 樸正鎬;樸鎮(zhèn)右;張在權;全光宰 | 申請（專利權）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/50 | 分類號： | H01L21/50;H01L21/60;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京市立方律師事務所 11330 | 代理人： | 李娜;王占杰 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制造 半導體 封裝 方法 | ||
1.一種制造半導體封裝件的方法，所述方法包括：
在第一載體上形成第一阻擋層；
在所述第一阻擋層上形成犧牲層，所述犧牲層包括暴露所述第一阻擋層的至少一部分的開口；
在所述第一阻擋層上和所述犧牲層上形成第二阻擋層，所述第二阻擋層包括形成在所述犧牲層上的部分；
在所述開口中形成第一絕緣層，所述第一絕緣層突出超過所述第二阻擋層的所述部分的頂表面，所述第一絕緣層的頂表面比所述第二阻擋層的所述部分的所述頂表面更遠離所述第一阻擋層；
在所述第一絕緣層上和所述第二阻擋層上形成包括再分布層和第二絕緣層的再分布結構；
在所述再分布結構上安裝半導體芯片；
將第二載體附著到所述半導體芯片上并去除所述第一載體；
去除所述第一阻擋層、所述犧牲層和所述第二阻擋層以暴露所述再分布結構的部分；以及
分別在所述再分布結構的所述部分上形成焊料球。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述犧牲層和所述再分布層包括相同的材料。
3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述犧牲層包括金屬材料。
4.根據(jù)權利要求3所述的方法，其中，所述金屬材料包括銅。
5.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述第一阻擋層和所述第二阻擋層包括與所述犧牲層不同的材料。
6.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，去除所述第一阻擋層、所述犧牲層和所述第二阻擋層包括執(zhí)行濕蝕刻工藝。
7.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述第二絕緣層在所述再分布層的側(cè)面上延伸，并且
其中，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層包括光可成像電介質(zhì)材料。
8.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，去除所述第一阻擋層、所述犧牲層和所述第二阻擋層包括在所述第一絕緣層中形成溝槽。
9.根據(jù)權利要求8所述的方法，其中，形成所述焊料球包括分別在所述溝槽中形成所述焊料球。
10.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中，所述溝槽分別暴露所述再分布層的部分，并且所述焊料球分別接觸所述再分布層的所述部分。
11.一種制造半導體封裝件的方法，所述方法包括：
在第一載體上順序地形成脫模層和第一阻擋層；
在所述第一阻擋層上形成犧牲層，所述犧牲層包括金屬材料和暴露所述第一阻擋層的至少一部分的開口；
形成在所述第一阻擋層上和所述犧牲層上延伸的第二阻擋層；
在所述開口中形成比所述犧牲層厚的第一絕緣層；
在所述第一絕緣層上和所述第二阻擋層上形成包括再分布層和第二絕緣層的再分布結構；
在所述再分布結構上安裝半導體芯片；
將第二載體附著到所述半導體芯片上，并去除所述第一載體和所述脫模層；
去除所述第一阻擋層、所述犧牲層和所述第二阻擋層以暴露所述再分布層的部分；以及
分別在所述再分布層的所述部分上形成焊料球。
12.根據(jù)權利要求11所述的方法，其中，所述金屬材料包括銅。
13.根據(jù)權利要求11所述的方法，其中，所述第一絕緣層包括面對所述第一阻擋層的第一底表面和與所述第一底表面相對的第一頂表面，并且所述第二阻擋層包括面對所述第一阻擋層的第二底表面和與所述第二底面相對的第二頂表面，以及
所述第一絕緣層的所述第一頂表面比所述第二阻擋層的所述第二頂表面更遠離所述第一阻擋層。
14.根據(jù)權利要求11所述的方法，其中，所述第一阻擋層和所述第二阻擋層包括與所述犧牲層不同的材料。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
