[發明專利]柔性薄膜封裝OLED結構及制作方法在審
| 申請號： | 202010804565.0 | 申請日： | 2020-08-12 |
| 公開（公告）號： | CN111952479A | 公開（公告）日： | 2020-11-17 |
| 發明（設計）人： | 溫質康;莊丹丹;蘇智昱;喬小平 | 申請（專利權）人： | 福建華佳彩有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/52 | 分類號： | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 福州市博深專利事務所(普通合伙) 35214 | 代理人： | 柯玉珊 |
| 地址： | 351100 福*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 柔性 薄膜 封裝 oled 結構 制作方法 | ||
1.一種柔性薄膜封裝OLED結構，其特征在于：包括玻璃基板、第一無機隔離壁、有機隔離壁、第二無機隔離壁以及在所述玻璃基板上方由下到上依次疊加的第一無機薄膜層、第一有機薄膜層、OLED組件、緩沖層、第二無機薄膜層、第二有機薄膜層和第三無機薄膜層；
所述第二無機隔離壁包裹住所述OLED組件與所述緩沖層的側圍，且位于所述第一有機薄膜層與所述第二無機薄膜層之間；
所述有機隔離壁包裹住所述第二無機隔離壁與所述第二無機薄膜層的側圍，且位于所述第一有機薄膜層和所述第二有機薄膜層之間；
所述第一無機隔離壁包裹住所述有機隔離壁、所述第一有機薄膜層與所述第二有機薄膜層的側圍，且位于所述第一無機薄膜層與所述第三無機薄膜層之間。
2.根據權利要求1所述的一種柔性薄膜封裝OLED結構，其特征在于：還包括二氧化硅薄膜層；
所述二氧化硅薄膜層位于所述玻璃基板與所述第一無機薄膜層之間。
3.根據權利要求2所述的一種柔性薄膜封裝OLED結構，其特征在于：所述第一無機薄膜層與所述二氧化硅薄膜層的厚度范圍分別在0.2um至0.4um之間。
4.根據權利要求1所述的一種柔性薄膜封裝OLED結構，其特征在于：所述第二無機薄膜層與所述第三無機薄膜層的厚度范圍在0.1um至0.15um之間；
所述第一無機隔離壁的厚度范圍在4.5um至5um之間且寬度范圍在0.1um至0.2um之間；
所述有機隔離壁的厚度范圍在4.5um至5.5um之間且寬度范圍在0.1um至0.2um之間；
所述第二無機隔離壁的厚度范圍在3um至5um之間且寬度范圍在0.1um至0.2um之間。
5.根據權利要求1所述的一種柔性薄膜封裝OLED結構，其特征在于：所述第二有機薄膜層為IJP制備有機層，且厚度范圍在1um至2um之間。
6.根據權利要1所述的一種柔性薄膜封裝OLED結構，其特征在于：所述第一無機薄膜層、所述第二無機薄膜層、所述第三無機薄膜層、所述第二無機隔離壁和所述第一無機隔離壁的結構材料為氮化硅；
所述第一有機薄膜層與所述有機隔離壁的結構材料為聚酰亞胺；
所述第二有機薄膜層的結構材料為墨水。
7.根據權利要1所述的一種柔性薄膜封裝OLED結構，其特征在于：所述OLED組件包括OLED器件與OLED顯示器件；
所述OLED器件疊加在所述OLED顯示器件上方。
8.一種柔性薄膜封裝OLED制作方法，其特征在于，包括如下步驟：
S1、在玻璃基板上方依次沉積二氧化硅薄膜層和第一無機薄膜層，在所述第一無機薄膜層上涂布第一有機薄膜層，在所述第一有機薄膜層上制備OLED組件，并在所述OLED組件蒸鍍緩沖層；
S2、在所述OLED組件與所述緩沖層的側圍沉積一層與所述緩沖層上方持平的第二無機隔離壁，在所述緩沖層與所述第二無機隔離壁的上方沉積一層第二無機薄膜層；
S3、在所述第二無機隔離壁與所述第二無機薄膜層的側圍涂布一層與所述第二無機薄膜層上方持平的有機隔離壁，在所述第二無機薄膜層與所述有機隔離壁的上方打印一層第二有機薄膜層；
S4、在所述有機隔離壁與所述第二有機薄膜層的側圍沉積一層與所述第二有機薄膜層上方持平的第一無機隔離壁，在所述第二有機薄膜層與所述第一無機隔離壁的上方覆蓋上第三無機薄膜層。
9.根據權利要求8述的一種柔性薄膜封裝OLED制作方法，其特征在于：采用PECVD沉積氮化硅薄膜以形成所述第一無機薄膜層、所述第二無機薄膜層、所述第三無機薄膜層、所述第二無機隔離壁和所述第一無機隔離壁；
采用涂膠機涂布PI薄膜以形成所述第一有機薄膜層與所述有機隔離壁；
采用IJP打印有機墨水以形成所述第二有機薄膜層。
10.根據權利要求8述的一種柔性薄膜封裝OLED制作方法，其特征在于：所述步驟S1至所述步驟S4替換為：
S1、在玻璃基板上方沉積二氧化硅薄膜層，在所述二氧化硅薄膜層上沉積一層厚度等于第一無機薄膜層預設厚度加上第一無機隔離壁厚度的第一氮化硅薄膜，對所述第一氮化硅薄膜曝光顯影形成位于所述二氧化硅薄膜層上的第一無機薄膜層以及位于所述第一無機薄膜層的上方四周的第一無機隔離壁；
在所述第一無機薄膜層上涂布一層厚度等于第一有機薄膜層厚度加上有機隔離壁厚度的PI薄膜層，對所述PI薄膜層曝光顯影形成位于所述第一無機薄膜層上的第一有機薄膜層以及位于所述第一有機薄膜層的上方四周的有機隔離壁；
在所述第一有機薄膜層與所述有機隔離壁形成的凹槽結構內制備OLED組件，并在所述OLED組件蒸鍍緩沖層；
S2、在所述OLED組件和所述緩沖層的側圍與所述有機隔離壁之間的縫隙沉積一層與所述緩沖層上方持平的第二無機隔離壁，在所述緩沖層與所述第二無機隔離壁的上方沉積一層第二無機薄膜層；
S3、在所述第二無機薄膜層與所述有機隔離壁的上方打印一層第二有機薄膜層；
S4、在所述第二有機薄膜層與所述第一無機隔離壁的上方覆蓋上第三無機薄膜層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
