本發明提供了一種版圖圖形密度的分析方法，包括：將數版圖劃分為多個網格，計算每個網格的第一局部圖形密度，判斷第一局部圖形密度是否超過第一規格；若沒有超過所述第一規格，則判斷第一局部圖形密度是否超出第二規格；若超出將網格標記為1，否則標記為0，集合得到第一密度矩陣；復制多個第一密度矩陣組合形成第二密度矩陣；生產晶圓時，如果晶圓異常，將異常部分對應的網格標記為1，否則標記為0形成第三密度矩陣；依次求得所有網格在第二密度矩陣的數值和第三密度矩陣的數值的乘積，若乘積為1時，則對應的網格的局部圖形密度不達標。將晶圓和機臺的異常考慮到版圖的圖形密度的分析中，可以提高后續生產時晶圓的良率。

技術領域

本發明涉及半導體領域，尤其是涉及一種版圖圖形密度的分析方法。

背景技術

隨著集成電路技術的發展，版圖圖形越來越復雜，圖形密度分析已成為很多關鍵層次掩模版數據分析的重要步驟。在半導體制造過程中，圖形密度分布均勻與否對蝕刻工藝及化學機械研磨工藝的影響很大，在圖形密度分布不均的情況下，不僅容易加重蝕刻中的負載效應，導致部分圖形的最終尺寸與目標尺寸偏離，更容易使圖形在化學機械研磨工藝中發生過磨。因此，準確地計算圖形密度，找到高風險工藝區域，有利于工程師及時了解產品高風險工藝熱點具體位置及圖形特性，及早的制定出相應的應對措施，順利達成產品的流片及量產。

傳統的圖形密度分析是根據版圖即ch i p的數據來檢查本層版圖的圖形密度，但是實際生產中，生產機臺對wafer(晶圓)產生的效應沒有考慮到其中，僅僅做ch i p數據的版圖圖形密度分析會漏失掉對wafer整體的一些影響。例如wafer edge(晶圓邊緣)對于光刻來講，更容易defocus(散焦)，wafer edge的圖形密度差異對于工藝更加敏感。例如薄膜沉積機臺的機械爪手位置是固定的，這些地方在wafer上沉積的薄膜厚度和wafer中間的有差異，圖形密度差異對爪手部分的影響也和wafer的中間部位不一致。若僅僅進行版圖數據的密度分析，以同樣的spec來管控，勢必會造成漏失。

發明內容

本發明的目的在于提供一種版圖圖形密度的分析方法，將晶圓生產時的異常考慮到版圖設計中，對版圖圖形進行分析，設計可以間接改善晶圓生產異常的版圖，從而提高后續生產時晶圓的良率。

為了達到上述目的，本發明提供了一種版圖圖形密度的分析方法，包括：

將版圖劃分為多個網格，計算每個所述網格的第一局部圖形密度，并判斷所述第一局部圖形密度是否超過第一規格；

若所述第一局部圖形密度沒有超過所述第一規格，判斷所述第一局部圖形密度是否超出第二規格；

若超出所述第二規格，則將網格標記為1，否則標記為0；

將多個所述標記集合，以得到第一密度矩陣；

復制多個所述第一密度矩陣，以形成第二密度矩陣；

生產晶圓時，若晶圓出現異常，將晶圓的異常部分對應的版圖上的網格標記為1，若沒有異常，則對應的版圖上的網格標記為0，將多個所述網格的標記集合，以形成第三密度矩陣；

依次求得所有所述網格在所述第二密度矩陣的數值和所述第三密度矩陣的數值的乘積，若乘積為1時，則對應的所述網格的局部圖形密度不達標。

可選的，在所述的版圖圖形密度的分析方法中，若所述第一局部圖形密度超過第一規格時，進行報警處理。

可選的，在所述的版圖圖形密度的分析方法中，所述第一規格具有第一上限和第一下限，所述第二規格具有第二上限和第二下限，所述第二上限的值小于所述第一上限的值，所述第二下限的值大于所述第一下限的值。

可選的，在所述的版圖圖形密度的分析方法中，所述第二上限的值比所述第一上限的值小于5％～15％；所述第二下限的值比所述第一下限的值大于5％～15％。