[發(fā)明專利]版圖圖形密度的分析方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010802392.9 | 申請日： | 2020-08-11 |
| 公開（公告）號： | CN111931449A | 公開（公告）日： | 2020-11-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 程瑋;朱忠華;姜立維;魏芳 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | G06F30/392 | 分類號： | G06F30/392;G06F30/398;G06F119/18 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 版圖 圖形 密度 分析 方法 | ||
1.一種版圖圖形密度的分析方法，其特征在于，包括：
將版圖劃分為多個網(wǎng)格，計算每個所述網(wǎng)格的第一局部圖形密度，并判斷所述第一局部圖形密度是否超過第一規(guī)格；
若所述第一局部圖形密度沒有超過所述第一規(guī)格，判斷所述第一局部圖形密度是否超出第二規(guī)格；
若超出所述第二規(guī)格，則將網(wǎng)格標(biāo)記為1，否則標(biāo)記為0；
將多個所述標(biāo)記集合，以得到第一密度矩陣；
復(fù)制多個所述第一密度矩陣，以形成第二密度矩陣；
生產(chǎn)晶圓時，若晶圓出現(xiàn)異常，將晶圓的異常部分對應(yīng)的版圖上的網(wǎng)格標(biāo)記為1，若沒有異常，則對應(yīng)的版圖上的網(wǎng)格標(biāo)記為0，將多個所述網(wǎng)格的標(biāo)記集合，以形成第三密度矩陣；
依次求得所有所述網(wǎng)格在所述第二密度矩陣的數(shù)值和所述第三密度矩陣的數(shù)值的乘積，若乘積為1時，則對應(yīng)的所述網(wǎng)格的局部圖形密度不達(dá)標(biāo)。
2.如權(quán)利要求1所述的版圖圖形密度的分析方法，其特征在于，若所述第一局部圖形密度超過第一規(guī)格時，進(jìn)行報警處理。
3.如權(quán)利要求1所述的版圖圖形密度的分析方法，其特征在于，所述第一規(guī)格具有第一上限和第一下限，所述第二規(guī)格具有第二上限和第二下限，所述第二上限的值小于所述第一上限的值，所述第二下限的值大于所述第一下限的值。
4.如權(quán)利要求3所述的版圖圖形密度的分析方法，其特征在于，所述第二上限的值比所述第一上限的值小于5％～15％；所述第二下限的值比所述第一下限的值大于5％～15％。
5.如權(quán)利要求1所述的版圖圖形密度的分析方法，其特征在于，所述第一密度矩陣、第二密度矩陣和第三密度矩陣均為長方形矩陣或正方形矩陣。
6.如權(quán)利要求1所述的版圖圖形密度的分析方法，其特征在于，復(fù)制n個所述第一密度矩陣組合，以形成第二密度矩陣，其中n為一片晶圓上形成的晶粒的個數(shù)。
7.如權(quán)利要求1所述的版圖圖形密度的分析方法，其特征在于，所述第二密度矩陣的行數(shù)和所述第三密度矩陣的行數(shù)相同；所述第二密度矩陣的列數(shù)和所述第三密度矩陣的列數(shù)相同。
8.如權(quán)利要求7所述的版圖圖形密度的分析方法，其特征在于，同一個所述網(wǎng)格的標(biāo)記在所述第二密度矩陣內(nèi)的位置和在所述第三密度矩陣內(nèi)的位置相同。
9.如權(quán)利要求1所述的版圖圖形密度的分析方法，其特征在于，依次求得所有所述網(wǎng)格在所述第二密度矩陣的數(shù)值和所述第三密度矩陣的數(shù)值的乘積，若乘積為0時，則對應(yīng)的所述網(wǎng)格的局部圖形密度達(dá)標(biāo)。
10.如權(quán)利要求1所述的版圖圖形密度的分析方法，其特征在于，所述網(wǎng)格的局部圖形密度不達(dá)標(biāo)時，進(jìn)行報警處理。
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