本發(fā)明涉及一種具有氣密封的微矩形多芯連接器，包括外殼、氣密封插座；所述氣密封插座包括插針、絕緣介質(zhì)及轉(zhuǎn)接板，所述轉(zhuǎn)接板上設(shè)置陣列通孔和凸臺結(jié)構(gòu)，插針并排燒結(jié)在轉(zhuǎn)接板的通孔內(nèi)，插針與轉(zhuǎn)接板之間填充絕緣介質(zhì)形成氣密封插座，氣密封插座通過轉(zhuǎn)接板上部的凸臺結(jié)構(gòu)定位于在外殼內(nèi)部，并與外殼通過釬焊固定密封連接通過選用熱膨脹系數(shù)逐級遞增的材料，增加熱匹配緩沖結(jié)構(gòu)解決了鋁盒體與微矩形多芯連接器之間的熱失配問題，從而保證了電子組件封裝的氣密性與可靠性；通過將微矩形多芯連接器與鋁盒體采用焊接安裝固定，實(shí)現(xiàn)低頻連接的高密度集成，降低了封裝體積；通過本發(fā)明方法制備的微矩形連接器耐溫高于220℃，工藝兼容性好。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及本發(fā)明屬于電連接器領(lǐng)域，尤其涉及一種能夠在鋁合金盒體上氣密焊接的微矩形多芯連接器及其制造方法。

背景技術(shù)

為滿足電子設(shè)備高密度、高性能、高可靠的應(yīng)用需求，電子組件的封裝持續(xù)向著小型化、輕量化、高散熱、高強(qiáng)度的方向發(fā)展。具體表現(xiàn)為使用微矩形多芯連接器提高低頻信號互連密度與效率，縮小封裝體積；使用鋁合金作為封裝盒體材料，提高散熱性能，降低產(chǎn)品重量，保證封裝強(qiáng)度。在空間和水下等高可靠的應(yīng)用場景，要求整個(gè)封裝具有氣密性。

現(xiàn)有多芯連接器與盒體的密封集成方式有兩種：

(1)CN 201887205 U公開的微矩形多芯連接器與盒體通過焊接工藝集成，集成密度高，但由于微矩形多芯連接器的熱膨脹系數(shù)約5ppm/℃，鋁合金的熱膨脹系數(shù)約23.5ppm/℃，二者之間的熱失配嚴(yán)重，在連接器使用過程中，發(fā)生焊接界面焊縫拉裂或者玻璃開裂等故障，造成產(chǎn)品漏氣失效。

(2)CN 204927667 U公開的氣密封矩形集成式電連接器與封裝盒體之間采用O型密封圈密封，密封性能無法達(dá)到GJB548B-2004方法1014.2規(guī)定的封裝漏率要求，不能應(yīng)用于高可靠氣密封應(yīng)用場景。

發(fā)明內(nèi)容

針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本發(fā)明提供了一種在鋁合金盒體上氣密焊接的微矩形多芯連接器，將多排插針燒結(jié)在熱膨脹系數(shù)9ppm/℃～11ppm/℃的轉(zhuǎn)接板上，轉(zhuǎn)接板氣密封安裝在熱膨脹系數(shù)16ppm/℃～23ppm/℃的外殼上，通過逐級過渡的方式實(shí)現(xiàn)鋁盒體與微矩形多芯連接器之間的熱匹配，保障鋁盒體電子封裝氣密性，同時(shí)具有尺寸小、可靠性高得特點(diǎn)。

本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下：一種具有氣密封的微矩形多芯連接器，包括外殼、氣密封插座；所述氣密封插座包括插針、絕緣介質(zhì)及轉(zhuǎn)接板，所述轉(zhuǎn)接板上設(shè)置陣列通孔和凸臺結(jié)構(gòu)，插針并排燒結(jié)在轉(zhuǎn)接板的通孔內(nèi)，插針與轉(zhuǎn)接板之間填充絕緣介質(zhì)形成氣密封結(jié)構(gòu)，氣密封插座通過轉(zhuǎn)接板上部的凸臺結(jié)構(gòu)定位，并與外殼通過釬焊固定密封連接；絕緣介質(zhì)熱膨脹系數(shù)與轉(zhuǎn)接板的熱膨脹系數(shù)之差不超過2ppm/℃；插針與轉(zhuǎn)接板的金屬材料熱膨脹系數(shù)在9ppm/℃～12ppm/℃之間，熔點(diǎn)不低于1000℃；外殼金屬材料的熱膨系數(shù)在16～24ppm/℃之間，熔點(diǎn)不低于600℃。

進(jìn)一步的，所述氣密封插座中絕緣介質(zhì)采用玻璃燒結(jié)而成。

進(jìn)一步的，所述多芯連接器中插針、轉(zhuǎn)接板、外殼的表面均鍍鎳金層。

進(jìn)一步的，所述轉(zhuǎn)接板材料為低碳鋼或柯伐合金，插針材料為柯伐合金。

進(jìn)一步的，所述外殼的材料為銅合金或鋁合金。

進(jìn)一步的，所述微矩形多芯連接器的外殼上部設(shè)置凸臺結(jié)構(gòu)，通過凸臺定位于鋁合金盒體安裝孔內(nèi)，并與鋁合金盒體通過焊接安裝實(shí)現(xiàn)封裝的氣密封。

進(jìn)一步的，所述插針、轉(zhuǎn)接板、外殼的表面鍍鎳層厚度在2μm-15μm之間，插針與轉(zhuǎn)接板金層厚度在1μm-2μm之間，外殼金層厚度在0.5μm-1μm之間。