本發明提供能夠使半導體裝置的性能提高的技術。半導體裝置具有第1導電型的第1半導體區域、第1半導體區域之上的第2導電型的第2半導體區域、第2導電型的第3及第4半導體區域、第1導電型的第5半導體區域、電極。第3半導體區域位于第2半導體區域之上，雜質濃度比第2半導體區域高。第4半導體區域與第2半導體區域相比雜質濃度高，第4半導體區域在俯視觀察時位于與第3半導體區域分離的位置，該第4半導體區域與第2半導體區域接觸。第5半導體區域位于第2半導體區域之上，在俯視觀察時位于第3及第4半導體區域之間。電極不與第4及第5半導體區域接觸而是與第3半導體區域接觸。

技術領域

本發明涉及半導體裝置。

背景技術

在專利文獻1中記載有與半導體裝置相關的技術。

專利文獻1：日本特開2007-324428號公報

關于半導體裝置，希望改善其性能。

發明內容

因此，本發明就是鑒于上述點而提出的，其目的在于，提供一種能夠使半導體裝置的性能提高的技術。

本發明涉及的半導體裝置的一個方式具有：第1導電型的第1半導體區域；所述第1半導體區域之上的第2導電型的第2半導體區域；所述第2導電型的第3半導體區域，其位于所述第2半導體區域之上，雜質濃度比所述第2半導體區域高；所述第2導電型的第4半導體區域，其雜質濃度比所述第2半導體區域高，在俯視觀察時位于與所述第3半導體區域分離的位置，該第4半導體區域與所述第2半導體區域接觸；所述第1導電型的第5半導體區域，其位于所述第2半導體區域之上，在俯視觀察時位于所述第3及第4半導體區域之間；以及電極，其不與所述第4及第5半導體區域接觸而是與所述第3半導體區域接觸。

另外，本發明涉及的半導體裝置的一個方式具有：第1導電型的第1半導體區域；所述第1半導體區域之上的第2導電型的第2半導體區域；所述第2導電型的第3半導體區域，其位于所述第2半導體區域之上，雜質濃度比所述第2半導體區域高；所述第2導電型的第4半導體區域，其雜質濃度比所述第2半導體區域高，在俯視觀察時位于與所述第3半導體區域分離的位置，該第4半導體區域與所述第2半導體區域接觸；凹部，其在俯視觀察時位于所述第3及第4半導體區域之間，該凹部形成于所述第2半導體區域；絕緣膜，其將所述凹部填充；以及電極，其不與所述第4及第5半導體區域接觸而是與所述第3半導體區域接觸。

發明的效果

根據本發明，半導體裝置的性能提高。

附圖說明

圖1是表示第1比較對象裝置的剖面構造的圖。

圖2是表示第2比較對象裝置的剖面構造的圖。

圖3是表示半導體裝置的剖面構造的一個例子的圖。

圖4是表示半導體裝置的平面構造的一個例子的圖。

圖5是表示半導體裝置的平面構造的一個例子的圖。

圖6是表示半導體裝置的特性的一個例子的圖。

圖7是表示半導體裝置的特性的一個例子的圖。

圖8是表示半導體裝置的特性的一個例子的圖。

圖9是表示半導體裝置的剖面構造的一個例子的圖。

圖10是表示半導體裝置的剖面構造的一個例子的圖。

圖11是表示半導體裝置的剖面構造的一個例子的圖。

圖12是表示半導體裝置的剖面構造的一個例子的圖。

圖13是表示半導體裝置的剖面構造的一個例子的圖。

圖14是表示半導體裝置的剖面構造的一個例子的圖。