[發明專利]半導體裝置在審
| 申請號： | 202010730923.8 | 申請日： | 2020-07-27 |
| 公開（公告）號： | CN112310191A | 公開（公告）日： | 2021-02-02 |
| 發明（設計）人： | 岡本隼人;陳則 | 申請（專利權）人： | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;張天舒 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置，其具有：
第1導電型的第1半導體區域；
所述第1半導體區域之上的第2導電型的第2半導體區域；
所述第2導電型的第3半導體區域，其位于所述第2半導體區域之上，雜質濃度比所述第2半導體區域高；
所述第2導電型的第4半導體區域，其雜質濃度比所述第2半導體區域高，在俯視觀察時位于與所述第3半導體區域分離的位置，該第4半導體區域與所述第2半導體區域接觸；
所述第1導電型的第5半導體區域，其位于所述第2半導體區域之上，在俯視觀察時位于所述第3及第4半導體區域之間；以及
電極，其不與所述第4及第5半導體區域接觸而是與所述第3半導體區域接觸。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，
所述第5半導體區域的深度大于或等于所述第3半導體區域的深度。
3.一種半導體裝置，其具有：
第1導電型的第1半導體區域；
所述第1半導體區域之上的第2導電型的第2半導體區域；
所述第2導電型的第3半導體區域，其位于所述第2半導體區域之上，雜質濃度比所述第2半導體區域高；
所述第2導電型的第4半導體區域，其雜質濃度比所述第2半導體區域高，在俯視觀察時位于與所述第3半導體區域分離的位置，該第4半導體區域與所述第2半導體區域接觸；
凹部，其在俯視觀察時位于所述第3及第4半導體區域之間，該凹部形成于所述第2半導體區域；
絕緣膜，其將所述凹部填充；以及
電極，其不與所述第4半導體區域接觸而是與所述第3半導體區域接觸。
4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中，
所述凹部的深度大于或等于所述第3半導體區域的深度。
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