本發明的實施例提供了半導體器件和制造方法。在實施例中，在半導體晶圓內形成第一半導體器件和第二半導體器件，并且圖案化第一半導體器件和第二半導體器件之間的劃線區。然后，在劃線區內利用分割工藝以將第一半導體器件與第二半導體器件分割開。然后將第一半導體器件和第二半導體器件接合至第二半導體襯底并且被減薄以從第一半導體器件和第二半導體器件去除延伸區。本發明涉及半導體器件和方法。

分案申請

本申請是2015年07月31日提交的標題為“半導體器件和方法”、專利申請號為201510464823.4的分案申請。

技術領域

本發明涉及半導體器件和方法。

背景技術

通常通過利用半導體襯底和在半導體襯底內或在半導體襯底的頂部上制造器件來制造半導體器件。一旦制造了這些器件，通過在單獨的器件上方和在半導體襯底上方制造一個或多個金屬化層來電連接單獨的器件。這些一個或多個金屬化層可以包括通過介電層分隔開的不但將單個器件彼此連接而且也連接至外部器件的導電層。

然而，不單獨地制造單獨的半導體管芯。相反，在單個半導體晶圓上形成多個半導體管芯。一旦已經形成管芯，分割半導體晶圓，從而使得單獨的管芯彼此分離，并且可以被單獨地利用。

不幸的是，分割工藝充滿了可能導致災難性的后果的潛在的危害。當將管芯分隔開時，在分離單獨的管芯中可能涉及的物理和熱應力可能損壞單獨的管芯，使它們具有缺陷，在最壞的情況下，無法使用。

發明內容

為了解決現有技術中存在的問題，根據本發明的一個方面，提供了一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：在第一半導體管芯和第二半導體管芯之間的第一半導體晶圓中形成第一開口，所述第一開口具有與所述第一半導體晶圓的主要表面平行的第一寬度；分割所述第一半導體晶圓以形成第二開口，其中，所述第一開口和所述第二開口將所述第一半導體管芯與所述第二半導體管芯分隔開，所述第二寬度具有與所述第一半導體晶圓的主要表面平行的第二寬度，所述第二寬度小于所述第一寬度；以及減薄所述第一半導體管芯，直到所述第一半導體管芯具有筆直側壁。

在上述方法中，還包括：在減薄所述第一半導體管芯之前，將所述第一半導體管芯接合至半導體襯底上。

在上述方法中，還包括：在減薄所述第二半導體管芯之前，將所述第二半導體管芯接合至所述半導體襯底上。

在上述方法中，至少部分地使用化學機械拋光工藝實施減薄所述第一半導體管芯。

在上述方法中，減薄所述第一半導體管芯去除了位于所述第一半導體管芯上的延伸區。

在上述方法中，形成所述第一開口也使所述第一半導體管芯的拐角變圓。

在上述方法中，至少部分地使用干蝕刻工藝實施形成所述第一開口。

根據本發明的另一方面，還提供了一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：在半導體襯底內至少部分地形成第一半導體管芯和第二半導體管芯；去除所述半導體襯底的第一部分，其中，所述第一部分位于所述半導體襯底的劃線區內；以及使用鋸片去除所述半導體襯底的第二部分，其中，去除所述半導體襯底的第一部分和去除所述半導體襯底的第二部分將所述第一半導體管芯與所述第二半導體管芯分隔開并且也在所述第一半導體管芯上形成半導體材料延伸件。

在上述方法中，還包括：從所述第一半導體管芯去除所述半導體材料延伸件。

在上述方法中，去除所述半導體材料延伸件還包括對所述第一半導體管芯實施減薄工藝。

在上述方法中，至少部分通過化學機械拋光工藝實施所述減薄工藝。

在上述方法中，還包括：在所述減薄工藝之前，將所述第一半導體管芯接合至半導體晶圓。