[發明專利]半導體器件和方法在審
| 申請號： | 202010598629.6 | 申請日： | 2015-07-31 |
| 公開（公告）號： | CN111834296A | 公開（公告）日： | 2020-10-27 |
| 發明（設計）人： | 余振華;張宏賓;陳怡秀;楊固峰;邱文智 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/78 | 分類號： | H01L21/78;H01L25/065;H01L21/50;H01L21/60;H01L23/482;H01L21/02;H01L21/306;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李偉 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 方法 | ||
1.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：
在半導體襯底內至少部分地形成第一半導體管芯和第二半導體管芯；
將所述第二半導體管芯與所述第一半導體管芯分離，其中，所述分離包括：
形成第一開口，其中，自頂向下看，形成所述第一開口形成彎曲的側壁；
將所述半導體襯底第一次減薄至100μm和500μm之間的厚度，
將所述半導體襯底的附接至所述第一半導體管芯和所述第二半導體管芯的部分第二次減薄，其中，所述第二次減薄不同于所述第一次減薄，所述第二次減薄將所述半導體襯底減薄至厚度10μm和250μm之間；和
在所述第一次減薄半導體襯底和所述第二次減薄半導體襯底的部分之間，鋸切所述半導體襯底。
2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述彎曲的側壁具有在50μm至500μm之間的弧半徑。
3.根據權利要求1所述的方法，還包括：將所述第一半導體管芯結合到半導體晶圓。
4.根據權利要求3所述的方法，其中，將所述第一半導體管芯結合到所述半導體晶圓包括將所述第一半導體管芯熔融結合到所述半導體晶圓。
5.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：
將半導體晶圓的第一半導體器件與所述半導體晶圓的第二半導體器件部分分離，所述半導體晶圓包括第一半導體材料；
第一次減薄所述第一半導體材料以及第二次減薄所述第一半導體材料，其中，所述第一次減薄不同于所述第二次減薄，在所述第二次減薄所述第一半導體材料之后，所述第一半導體器件具有筆直的側壁，其中，減薄所述第一半導體材料將厚度從100μm和500μm之間減小至10μm和250μm之間；以及
在所述第一次減薄所述第一半導體材料和所述第二次減薄所述第一半導體材料之間鋸切所述第一半導體材料。
6.根據權利要求5所述的方法，其中，部分分離所述第一半導體器件在劃線區域內形成開口，所述劃線區域的寬度在10μm至200μm之間。
7.根據權利要求5所述的方法，其中，部分分離所述第一半導體器件時形成圓角。
8.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：
制造具有半導體晶圓的第一半導體器件和第二半導體器件；
從所述第二半導體器件中分離出所述第一半導體器件，所述分離包括：
第一化學機械拋光工藝；
第二化學機械拋光工藝；和
在第一化學機械拋光工藝和第二化學機械拋光工藝之間的鋸切工藝，其中，在所述半導體晶圓的半導體襯底的厚度在100μm至500pm之間時，發生所述鋸切工藝。
9.根據權利要求8所述的方法，其中，在所述第二化學機械拋光工藝之后，所述半導體襯底的厚度在10μm至250μm之間。
10.根據權利要求8所述的方法，還包括：在所述鋸切工藝之后并且在所述第二化學機械拋光工藝之前，將所述第一半導體器件熔融結合至第二半導體晶圓上。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
