本發(fā)明涉及真空鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種光學(xué)薄膜成膜直接式光學(xué)監(jiān)控系統(tǒng)及其監(jiān)控測(cè)量方法，其特征在于：所述監(jiān)控系統(tǒng)包括兩組或兩組以上可分別獨(dú)立形成監(jiān)控光路的光源發(fā)送器和光源接收器，兩路或兩路以上所述監(jiān)控光路均穿透所述鍍膜基片且沿所述鍍膜基片上的薄膜覆膜延伸方向間隔布置，所述光源接收器連接有將所述監(jiān)控光路的光信號(hào)轉(zhuǎn)化為可反映所述鍍膜基片上薄膜厚度信息的數(shù)據(jù)處理器。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是：可適用不同規(guī)格的成膜基片，且不需要調(diào)整光軸，使用方便；能夠精確確定成膜基片上合格區(qū)域的范圍，確保鍍膜效益的最大化；監(jiān)控系統(tǒng)還可以在鍍膜過(guò)程進(jìn)行中間測(cè)量光譜，進(jìn)行修正，提高鍍膜精度。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及真空鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種光學(xué)薄膜成膜直接式光學(xué)監(jiān)控系統(tǒng)及其監(jiān)控測(cè)量方法。

背景技術(shù)

直接式膜厚監(jiān)控系統(tǒng)是通過(guò)探測(cè)光線(xiàn)通過(guò)鍍膜基板前后的變化而獲知鍍膜基板上薄膜厚度的光學(xué)檢測(cè)方法。現(xiàn)有技術(shù)中，光路為單光路。但通過(guò)如此布置的膜厚監(jiān)控系統(tǒng)往往檢測(cè)精度不高，易受環(huán)境影響，且不易控制。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是根據(jù)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了一種光學(xué)薄膜成膜直接式光學(xué)監(jiān)控系統(tǒng)及其監(jiān)控測(cè)量方法，通過(guò)雙光路的設(shè)計(jì)對(duì)鍍膜基片上的薄膜厚度進(jìn)行穿透式的直接監(jiān)控，可實(shí)現(xiàn)薄膜厚度及膜厚變化的檢測(cè)。

本發(fā)明目的實(shí)現(xiàn)由以下技術(shù)方案完成：

一種光學(xué)薄膜成膜直接式光學(xué)監(jiān)控系統(tǒng)，可實(shí)現(xiàn)對(duì)鍍膜基片上的薄膜厚度及膜厚變化進(jìn)行檢測(cè)，其特征在于：所述監(jiān)控系統(tǒng)包括兩組或兩組以上可分別獨(dú)立形成監(jiān)控光路的光源發(fā)送器和光源接收器，兩路或兩路以上所述監(jiān)控光路均穿透所述鍍膜基片且沿所述鍍膜基片上的薄膜覆膜延伸方向間隔布置，所述光源接收器連接有將所述監(jiān)控光路的光信號(hào)轉(zhuǎn)化為可反映所述鍍膜基片上薄膜厚度信息的數(shù)據(jù)處理器。

至少一組所述光源發(fā)送器和所述光源接收器分別連接有位移機(jī)構(gòu)，所述位移機(jī)構(gòu)可驅(qū)動(dòng)所述光源發(fā)送器和所述光源接收器所形成的監(jiān)控光路沿所述鍍膜基片上的薄膜覆膜延伸方向位移。

所述監(jiān)控光路可通過(guò)自所述鍍膜基片由下至上的上投光式布置，或自所述鍍膜基片由上至下的下投光式布置。

所述監(jiān)控光路為激光監(jiān)控光路，所述光源發(fā)送器將激光發(fā)射至所述光源接收器。

所述光源發(fā)送器包括激光電源、激光發(fā)送鏡頭及光斬波器，所述激光光源通過(guò)光纖連接所述光斬波器，所述光斬波器通過(guò)光纖連接所述激光發(fā)送鏡頭，所述激光電源發(fā)出的激光自所述激光發(fā)送鏡頭發(fā)射至所述光源接收器。

所述光源接收器包括激光接收鏡頭、探測(cè)器、數(shù)據(jù)處理器以及功率計(jì)，所述激光接收鏡頭通過(guò)光纖連接探測(cè)器，所述探測(cè)器分別連接所述數(shù)據(jù)處理器和所述功率計(jì)，且所述數(shù)據(jù)處理器連接所述光斬波器的斬波控制器。

一種涉及上述的光學(xué)薄膜成膜直接式光學(xué)監(jiān)控系統(tǒng)的監(jiān)控測(cè)量方法，其特征在于：在真空鍍膜設(shè)備內(nèi)布置兩組或兩組以上光源發(fā)送器和光源接收器以形成對(duì)鍍膜基片的兩路或兩路以上的監(jiān)控光路；所述兩路或兩路以上監(jiān)控光路沿所述鍍膜基片上的薄膜覆膜延伸方向間隔布置且穿透所述鍍膜基片；根據(jù)所述兩路或兩路以上監(jiān)控光路所監(jiān)控反饋的薄膜厚度信息確定所述鍍膜基片上滿(mǎn)足膜厚設(shè)計(jì)要求的合格區(qū)域的面積。

一路所述監(jiān)控光路的位置固定，另一路所述監(jiān)控光路的位置沿所述薄膜覆膜延伸方向位移，實(shí)現(xiàn)一鍍膜基片上的所述合格區(qū)域的面積的確定，或不同尺寸的所述鍍膜基片上的所述合格區(qū)域的面積的確定。

一種涉及上述的光學(xué)薄膜成膜直接式光學(xué)監(jiān)控系統(tǒng)的監(jiān)控測(cè)量方法，其特征在于：在真空鍍膜設(shè)備內(nèi)布置兩組或兩組以上光源發(fā)送器和光源接收器以形成對(duì)鍍膜基片的兩路或兩路以上監(jiān)控光路；所述兩路或兩路以上監(jiān)控光路沿所述鍍膜基片上的薄膜覆膜延伸方向間隔布置且穿透所述鍍膜基片；在鍍膜過(guò)程中通過(guò)兩路或兩路以上所述監(jiān)控光路進(jìn)行中間測(cè)量，根據(jù)所述兩路或兩路以上監(jiān)控光路所監(jiān)控反饋的薄膜厚度信息修正所述真空鍍膜設(shè)備的鍍膜工藝參數(shù)。