[發(fā)明專利]溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法及溝槽隔離結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010430508.0 | 申請日： | 2020-05-20 |
| 公開（公告）號： | CN111584419B | 公開（公告）日： | 2023-06-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳筍弘;李建財 | 申請（專利權(quán)）人： | 合肥晶合集成電路股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762;H01L29/06;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 230012 安徽省合*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 溝槽 隔離 結(jié)構(gòu) 形成 方法 | ||
1.一種溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：
提供一預(yù)處理基片，所述預(yù)處理基片具有一類溝槽和二類溝槽，所述一類溝槽的寬度小于所述二類溝槽的寬度；
形成第一填充層在所述預(yù)處理基片上，所述第一填充層覆蓋所述預(yù)處理基片的上表面以及所述二類溝槽的內(nèi)表面，并懸空沉積在所述一類溝槽的開口處；
執(zhí)行第一平坦化工藝，去除高于所述預(yù)處理基片上表面的所述第一填充層；
去除殘留于所述一類溝槽開口處的所述第一填充層，所述一類溝槽內(nèi)不保留所述第一填充層，位于所述二類溝槽內(nèi)的所述第一填充層仍有保留；
形成第二填充層在所述預(yù)處理基片上，所述第二填充層填滿所述一類溝槽和所述二類溝槽并覆蓋所述預(yù)處理基片的上表面，所述第二填充層位于所述二類溝槽區(qū)域的上表面高于其位于所述一類溝槽區(qū)域的上表面；以及，
執(zhí)行第二平坦化工藝，去除高于所述預(yù)處理基片上表面的所述第二填充層，所述第二平坦化工藝采用化學(xué)機械研磨。
2.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成所述第一填充層之前，還包括：
形成保護層在所述預(yù)處理基片上，所述保護層保形地覆蓋所述一類溝槽和所述二類溝槽的內(nèi)表面以及所述預(yù)處理基片的上表面。
3.如權(quán)利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述保護層包括線形氧化層和線形氮化層，所述線形氧化層保形地覆蓋所述一類溝槽和所述二類溝槽的內(nèi)表面以及所述預(yù)處理基片的上表面，所述線形氮化層保形地覆蓋所述線形氧化層的表面。
4.如權(quán)利要求3所述的形成方法，其特征在于，在去除殘留于所述一類溝槽開口處的所述第一填充層時，所述第一填充層和所述線形氮化層的刻蝕選擇比大于10。
5.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一填充層采用PE-TEOS工藝或者LP-TEOS工藝形成。
6.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除殘留于所述一類溝槽開口處的所述第一填充層的方法包括依次執(zhí)行的濕法蝕刻和超聲波清洗。
7.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第二填充層采用高密度等離子體沉積工藝或高深寬比化學(xué)氣相沉積工藝形成。
8.如權(quán)利要求1至7任一項所述的形成方法，其特征在于，所述第一平坦化工藝采用化學(xué)機械研磨。
9.如權(quán)利要求1至7任一項所述的形成方法，其特征在于，所述二類溝槽的寬度是所述一類溝槽寬度的至少五倍。
10.一種溝槽隔離結(jié)構(gòu)，其特征在于，利用如權(quán)利要求1至9任一項所述的形成方法形成。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
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