公開了一種管芯組件。該管芯組件包括管芯、管芯的第一表面上的一個或多個管芯焊盤以及管芯上的管芯附接膜，其中管芯附接膜包括暴露一個或多個管芯焊盤并且延伸到管芯的一個或多個邊緣的一個或多個開口。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開的實施例涉及管芯附接膜(DAF)，并且特別地，涉及可圖案化的管芯附接膜和用于對其進行圖案化的工藝。

背景技術(shù)

嵌入式多管芯互連橋(EMIB)技術(shù)包括具有用于管芯到管芯(D2D)互連通信的超細線距(line-space)結(jié)構(gòu)的半導體橋。EMIB技術(shù)在異質(zhì)芯片集成應(yīng)用中是有用的。對于異質(zhì)芯片的封裝中(in-package)、高密度互連而言，EMIB封裝技術(shù)是一種先進的、經(jīng)濟有效的方式。它提供了多個管芯之間極高的I/O和控制良好的電互連路徑。

管芯附接膜材料用于將管芯(例如，EMIB管芯)附接到封裝結(jié)構(gòu)。出于實用的目的，管芯附接膜(DAF)材料被設(shè)計成吸收由形成在DAF材料上的半導體管芯和位于DAF材料下方的有機襯底之間的熱膨脹系數(shù)(CTE)不匹配而引起的機械應(yīng)力。管芯附接膜保護封裝以免發(fā)生翹曲和可靠性故障。在涉及垂直D2D連接和穿硅過孔(TSV)管芯嵌入的封裝架構(gòu)中，需要在嵌入之前測試管芯以顯著地節(jié)省成本，并且僅允許已知良好的管芯(KGD)繼續(xù)工藝流程到生產(chǎn)線的末端。

然而，常規(guī)的DAF材料是不可圖案化的，并且必須要通過濕法化學制程或干法蝕刻去除常規(guī)的DAF材料，以便暴露實現(xiàn)用于下游工藝步驟的垂直連接的后側(cè)銅焊盤。因此，使用這樣的DAF的管芯架構(gòu)不適合垂直D2D和嵌入式管芯TSV方式。

附圖說明

圖1A示出了具有嵌入式多管芯互連橋(EMIB)架構(gòu)并且包括EMIB器件的半導體封裝襯底。

圖1B示出了使用EMIB器件通信地耦合或連接第一管芯和第二管芯的方式。

圖1C示出了使用管芯附接膜(DAF)將EMIB器件附接到封裝襯底。

圖2示出了根據(jù)實施例的封裝襯底的結(jié)構(gòu)，該封裝襯底具有可以用于安裝穿硅過孔(TSV)管芯的腔體。

圖3示出了根據(jù)實施例的封裝襯底的結(jié)構(gòu)，該封裝襯底具有可以用于安裝EMIB橋管芯的腔體。

圖4A示出了根據(jù)實施例的包括圖案化的DAF層的管芯組件的橫截面。

圖4B示出了根據(jù)實施例的圖4A中所示的管芯組件的仰視圖。

圖5A-圖5L示出了根據(jù)實施例的在形成包括光刻圖案化的DAF的封裝結(jié)構(gòu)的工藝期間管芯組件和封裝襯底的橫截面。

圖6A-圖6K示出了根據(jù)實施例的在形成包括激光鉆孔圖案化的DAF的封裝結(jié)構(gòu)的工藝期間管芯組件和封裝襯底的橫截面。

圖7A-圖7K示出了根據(jù)實施例的在形成包括掩模圖案化的DAF的封裝結(jié)構(gòu)的工藝期間管芯組件和封裝襯底的橫截面。

圖8A-圖8L示出了根據(jù)實施例的在形成包括襯底圖案化的DAF的封裝結(jié)構(gòu)的工藝期間管芯組件和封裝襯底的橫截面。

圖9示出了根據(jù)實施例的用于對管芯上的管芯附接膜進行圖案化的方法的流程圖。

圖10示出了根據(jù)實施例的用于對襯底上的管芯附接膜進行圖案化并附接管芯的方法的流程圖。

圖11示出了根據(jù)實施例的實施方式的計算機系統(tǒng)。

具體實施方式