本發明公開一種對一次可編程存儲器芯片進行篩選的方法，屬于CMOS集成電路技術領域。通過編程器對一次可編程存儲器芯片的冗余行進行編程并校驗，剔除校驗失敗的芯片；對一次可編程存儲器芯片進行空片檢查，剔除檢查失敗的芯片；通過編程器對一次可編程存儲器芯片的冗余列進行編程并校驗，剔除校驗失敗的芯片；再次對一次可編程存儲器芯片進行空片檢查，剔除檢查失敗的芯片；對一次可編程存儲器芯片進行動態老煉，誘導有潛在缺陷的芯片發生早期失效；進行全片讀取校驗，剔除發生錯誤的芯片。本發明提供的方法可以有效剔除有工藝缺陷或參數不達標的芯片，具有很高的應用價值。

技術領域

本發明涉及CMOS集成電路技術領域，特別涉及一種對一次可編程存儲器芯片進行篩選的方法。

背景技術

在一次可編程存儲器的設計中，器件由于存在一次可編程特性，而往往難以測試。因此設計者一般會設計內置測試電路，以對芯片的可編程性、功能、性能進行測試，希望在篩選階段的早期剔除有缺陷或參數不達標的芯片。但由于一次可編程器件在航空航天領域的重要性，屬于國外對中國嚴格禁運和技術封鎖的器件，國內很少有生產廠家研制以此類器件，也無有效篩選手段。

發明內容

本發明的目的在于提供一種對一次可編程存儲器芯片進行有效篩選的方法，以實現對一次可編程存儲器芯片進行有效測試和篩選。

為解決上述技術問題，本發明提供一種對一次可編程存儲器芯片進行篩選的方法，包括：

通過編程器對一次可編程存儲器芯片的冗余行進行編程并校驗，剔除校驗失敗的芯片；

對一次可編程存儲器芯片進行空片檢查，剔除檢查失敗的芯片；

通過編程器對一次可編程存儲器芯片的冗余列進行編程并校驗，剔除校驗失敗的芯片；

再次對一次可編程存儲器芯片進行空片檢查，剔除檢查失敗的芯片；

對一次可編程存儲器芯片進行動態老煉，誘導有潛在缺陷的芯片發生早期失效；

進行全片讀取校驗，剔除發生錯誤的芯片。

可選的，所述一次可編程存儲器芯片包括：

用戶存儲區，用于用戶存儲信息；所述用于存儲區包括字線、位線、存儲單元和電源線、地線；

測試陣列，用于通過編程、讀出操作進行測試；所述測試陣列包括冗余行和冗余列；其中，所述冗余行包括兩行存儲單元及冗余行區域內的字線、位線和電源線、地線；所述冗余列包括兩列存儲單元及冗余列區域內的字線、位線和電源線、地線；

編程及讀出電路，隔著所述用戶存儲區與所述冗余行相對；

字線驅動，隔著所述用戶存儲區與所述冗余列相對。

可選的，通過編程器對一次可編程存儲器芯片的冗余行進行編程并校驗包括：

從所述冗余行的列的角度看，冗余行內每列有2個存儲單元，至少對其中1個進行編程，但從冗余行整體來看，不能對冗余行內存儲單元全部編程；若校驗失敗，則該芯片剔除。

可選的，通過編程器對一次可編程存儲器芯片的冗余列進行編程并校驗包括：

從所述冗余列的行的角度看，冗余列內每行有2個存儲單元，至少對其中1個進行編程，但從冗余列整體來看，不能對冗余列內存儲單元全部編程；若校驗失敗，則該芯片剔除。

可選的，對一次可編程存儲器芯片進行動態老煉包括：

對所述用戶存儲區進行周期性讀取，和對所述測試陣列進行周期性讀取，以使讀出通路有“0→1”或“1→0”的變化，即老煉過程覆蓋讀出通路。

可選的，進行全片讀取校驗包括：