本申請揭露一種感光傳感器及其制備方法、陣列基板、顯示面板，通過離子植入的方式，在同一層多晶硅表面分別形成N型區和P型區，兼容了離子植入的工藝；并在多晶硅上方覆蓋一層非晶硅感光層，增強了吸收光能力，可增加光生電子?空穴對，且水平方向和垂直方向上均存在內建電場，可更加有效地分離電子?空穴對，增大光生電流，提高指紋識別的精度。

技術領域

本申請涉及半導體技術領域，尤其涉及一種感光傳感器及其制備方法、陣列基板、顯示面板。

背景技術

指紋是人體與生俱來獨一無二并可與他人相區別的不變特征。指紋圖案具有唯一性，它由指端皮膚表面上的一系列脊和谷組成，由之發展起來的指紋識別技術是較早被用作為個人身份驗證的技術。目前，指紋識別技術已廣泛應用于中小尺寸的面板中，其中主要有電容式、超聲波式和光學式等幾種方式。相比于電容式和超聲波式指紋識別技術，光學指紋識別穩定性好、抗靜電能力強、穿透能力好且成本較低。光學指紋識別技術利用光的折射和反射原理，當光照射到手指上，經手指反射后由感光傳感器(sensor)接收，感光傳感器可將光信號轉換為電學信號，從而進行讀取。由于指紋谷和脊對光的反射不同，感光傳感器所接收到谷和脊的反射光強不同，所轉換的電流或者電壓的大小也就不同，因此可以抓取指紋中的特殊點，提供唯一性的確認信息。

對于光學指紋識別技術，感光傳感器是實現光信號轉換為可以直接讀取的電信號的關鍵模塊。傳統的感光傳感器結構為非晶硅(a-Si)材質的垂直型PIN型光電二極管，通過在光電二極管的PN結中間摻入一層濃度很低的I型半導體，由于這一摻入層的摻雜濃度低，近乎本征(Intrinsic)半導體，故稱I型區，因此這種結構成為PIN型光電二極管。絕大部分的入射光在I型區內被吸收并產生大量的電子-空穴對；P型區和N型區吸收入射光的比例很小。I型區相對于P型區和N型區是高阻區，這樣，PN結的內建電場就基本上全集中于I型區中。

現有PIN型光電二極管的制作方法是通過在CVD成膜過程中通入磷烷和硼烷，來實現N型區和P型區，構成二極管，而現有低溫多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，簡稱LTPS)產線工藝實現半導體的N型或者P型轉變是通過離子植入和高溫活化的方式進行，因此，現有PIN型光電二極管的制作方法無法兼容現有LTPS產線工藝。對于LTPS工藝，由于受到準分子激光退火(ELA)工藝對多晶硅(Poly-Si)晶化厚度的限制，采用離子植入工藝制備的全Poly-Si水平結構PIN型二極管器件，其光電響應會比較低，從而使得IC無法精確讀取信號，影響指紋識別的精度。

因此，如何既兼容LTPS產線的離子植入的工藝，又實現較強的吸收光能力，成為光學指紋識別技術發展需要改進的技術問題。

發明內容

本申請的目的在于，針對現有技術存在的問題，提供一種感光傳感器及其制備方法、陣列基板、顯示面板，可以既兼容LTPS產線的離子植入的工藝，又實現較強的吸收光能力。

為實現上述目的，本申請提供了一種感光傳感器的制備方法，包括如下步驟：在一襯底基板上形成一第一絕緣層；在所述第一絕緣層上形成一多晶硅層，并對所述多晶硅層進行圖案化，形成一第一區、一第二區以及夾在所述第一區與所述第二區之間的一第三區；采用離子植入的方式，對所述多晶硅層的所述第一區進行第一離子摻雜形成P型區，及對所述多晶硅層的所述第二區進行第二離子摻雜形成N型區；在所述多晶硅層上形成一感光層，所述感光層覆蓋所述第三區并分別向所述P型區及所述N型區延伸，所述第三區形成I型區；在所述感光層上形成一第二絕緣層，并在所述第二絕緣層上對應所述P型區的區域內形成一第一連接孔，及在對應所述N型區的區域內形成一第二連接孔；以及在所述第二絕緣層上形成一電極層，所述電極層包括一第一電極及一第二電極，其中，所述第一電極通過所述第一連接孔連接所述P型區，所述第二電極通過所述第二連接孔連接所述N型區。